igbt模塊的擎住效應

2022-03-24

由圖1(b)線路能夠看見，igbt模塊內部的寄生三極管T2與輸出三極管T1等效于1個晶閘管模塊。內部體區電阻Rbr上的電壓降為1個正方向偏壓加在寄生三極管T2的基極和發射極間。當igbt模塊處在斷開情況和處在正常穩定通態時（ic不超過允許值時），Rbr上的壓降都較小，并不能產生T2的基極電流，T2不起作用。但倘若ic瞬時過大，Rbr上壓降過大，則將會使T2導通，而一經T2導通，即使撤除門極電壓UGE，igbt模塊仍然會像晶閘管模塊一樣處在通態，使門極G失去控制作用，這種現象稱為擎住效應。在igbt模塊的設計制造時已盡可能地降低體區電阻Rbr，使igbt模塊的集電極電流在最大允許值ICM時，Rbr...

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可控硅模塊的內部結構

2022-03-23

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱作可控硅整流器，之前被簡稱為可控硅；可控硅是PNPN四層半導體構造，它有幾個極：陽極，陰極和門極；可控硅具備硅整流器件的性能，能在高電壓、大電流情況下運作，且其運作過程能夠控制、被普遍使用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子線路中。可控硅接通情況為：加順向電壓且門極有觸發電流；其派生元器件有：快速可控硅，雙向晶閘管，逆導可控硅，光控可控硅等。它是1種大功率開關型半導體器件，在線路中用文字符號為“V”、“VT”表達（舊標準中用字母“SCR”表達）。可控硅（Thyristor）是1種開關元件，能在高電壓、大電流情況下運作，且其運作過程能...

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igbt模塊的動態特性

2022-03-22

圖2示出了igbt模塊的導通和斷開環節。導通環節的特性類似MOSFET；由于在這個區間，igbt模塊大部分時間用作MOSFET運行。導通時間由4個部分構成。導通延遲時間td是外施柵極脈沖從負到正跳變開始，到柵-射電壓充電到UGEth的時間。 這之后集電極電流從0開始上升，到90%穩態值的時間為電流上升時間tri。在這2個時間內，集-射極間電壓UCE基本不變。之后，UCE開始下降。下降時間tfu1是MOSFET運行時漏-源電壓下降時間tfu2是MOSFET和PNP晶體管同時運行時漏-源電壓下降時間；因此，igbt模塊導通時間為ton=td+tr+tfu1+tfu2。導通環節中，在td、tr時間內，柵-射...

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可控硅調速線路圖

2022-03-21

如下圖，調節電位器ＲＰ就可以調節可控硅的導通角，轉變輸出電壓，進而達到無級調節電動機轉速的目的。RP阻值小，VS導通角度大，輸出電壓高，電動機轉速高；反之，RP阻值大，電動機轉速低。 為了能提升直流調速系統的動靜態性能指標，通常選用閉環控制系統（包含單閉環系統和多閉環系統）。對調速指標要求不高的場合，選用單閉環系統，而對調速指標較高的則選用多閉環系統。按反饋的形式不同可分成轉速反饋，電流反饋，電壓反饋等。在單閉環系統中，轉速單閉環使用較多。在本設備中，轉速單閉環實驗是將反映轉速改變的電壓信號當作反饋信號，經“速度變換”后連接到“速度調節器”的輸入端，與“給定”的電壓相對比經放大后，獲得移相控制電壓UCt，用來...

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igbt模塊的靜態特性

2022-03-18

（1）輸出特性：是UGE一定時集電極電流Ic與集電極-發射極電壓UCE的函數關系，即Ic=f（UCE）。 圖1示出igbt模塊的輸出特性。UGE=0的曲線相應于igbt模塊處在斷態。在線性導電區I，UCE增加，Ic增加。在恒流飽和區Ⅱ，對于一定的UGE，UCE增加，IC不會再隨UCE而增加。在UCE為負值的反壓下，其特性曲線類似三極管的反方向阻斷特性。為了使igbt模塊安全運作，它承擔的外加壓、反方向電壓應低于圖1（c）中的正、反方向折轉擊穿電壓。（2）轉移特性：是圖1（d）所顯示的集電極電流Ic與柵極電壓UGE的函數關系，即Ic=f(UGE)。當UGE低于開啟閾值電壓UGEth時，等...

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