igbt模塊的動態特性

2022-03-22

圖2示出了igbt模塊的導通和斷開環節。導通環節的特性類似MOSFET；由于在這個區間，igbt模塊大部分時間用作MOSFET運行。導通時間由4個部分構成。導通延遲時間td是外施柵極脈沖從負到正跳變開始，到柵-射電壓充電到UGEth的時間。
這之后集電極電流從0開始上升，到90%穩態值的時間為電流上升時間tri。在這2個時間內，集-射極間電壓UCE基本不變。之后，UCE開始下降。

下降時間tfu1是MOSFET運行時漏-源電壓下降時間tfu2是MOSFET和PNP晶體管同時運行時漏-源電壓下降時間；因此，igbt模塊導通時間為ton=td+tr+tfu1+tfu2。

導通環節中，在td、tr時間內，柵-射極間電容在外施正電壓效果下充電，且按指數規律上升，在tfu1、tfu2這一時間段內MOSFET導通，流過對GTR的驅動電流，柵-射極電壓基本維持igbt模塊徹底導通后驅動環節結束。柵-射極電壓再度按指數規律上升到外施柵極電壓值。

igbt模塊斷開時，在外施柵極反方向電壓效果下，MOSFET輸入電容放電，內部PNP晶體管依然導通，在最初環節里，斷開的延遲時間td和電壓UCE的上升時間tr，由igbt模塊中的MOSFET確定。

斷開時igbt模塊和MOSFET的關鍵差距是電流波型分成tfi1和tfi2兩部分，當中，tfi1由MOSFET確定，對應于MOSFET的斷開環節；tfi2由PNP晶體管中存儲電荷所確定。

由于在tfi1末尾MOSFET已斷開，igbt模塊又無反方向電壓，體內的存儲電荷很難被快速消除；因此漏極電流有較長的下降時間。由于這時漏源電壓已建立，過長的下降時間會產生很大的功耗，使結溫增高；因此希望下降時間越短越好。

以上就是傳承電子對igbt模塊的動態特性的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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