igbt模塊的擎住效應

2022-03-24

由圖1(b)線路能夠看見，igbt模塊內部的寄生三極管T2與輸出三極管T1等效于1個晶閘管模塊。內部體區電阻Rbr上的電壓降為1個正方向偏壓加在寄生三極管T2的基極和發射極間。

當igbt模塊處在斷開情況和處在正常穩定通態時（ic不超過允許值時），Rbr上的壓降都較小，并不能產生T2的基極電流，T2不起作用。

但倘若ic瞬時過大，Rbr上壓降過大，則將會使T2導通，而一經T2導通，即使撤除門極電壓UGE，igbt模塊仍然會像晶閘管模塊一樣處在通態，使門極G失去控制作用，這種現象稱為擎住效應。

在igbt模塊的設計制造時已盡可能地降低體區電阻Rbr，使igbt模塊的集電極電流在最大允許值ICM時，Rbr上的壓降仍低于T2管的起始導電所需要的正偏壓。

但在實際運行中ic一經過大，則將會出現擎住效應。

倘若外線路無法限制ic的增加，則將會毀壞元器件。

除過大的ic將會產生擎住效應外，當igbt模塊處在斷開情況時，倘若集電極電源電壓過高，使T1管漏電流過大，也將會在Rbr上產生過高的壓降，使T2導通而出現擎住效應。

將會出現擎住效應的第三個情況是：在斷開過程中，MOSFET的斷開十分迅速，MOSFET關斷后圖1(b)中三極管T2的J2結反偏電壓UBA增加，MOSFET斷開得越快，集電極電流ic減小得越快，則UCA=Es-R

以上就是傳承電子對igbt模塊的擎住效應的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。

主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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