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由圖1(b)線路能夠看見(jiàn)，igbt模塊內(nèi)部的寄生三極管T2與輸出三極管T1等效于1個(gè)晶閘管模塊。內(nèi)部體區(qū)電阻Rbr上的電壓降為1個(gè)正方向偏壓加在寄生三極管T2的基極和發(fā)射極間。

當(dāng)igbt模塊處在斷開(kāi)情況和處在正常穩(wěn)定通態(tài)時(shí)（ic不超過(guò)允許值時(shí)），Rbr上的壓降都較小，并不能產(chǎn)生T2的基極電流，T2不起作用。

但倘若ic瞬時(shí)過(guò)大，Rbr上壓降過(guò)大，則將會(huì)使T2導(dǎo)通，而一經(jīng)T2導(dǎo)通，即使撤除門極電壓UGE，igbt模塊仍然會(huì)像晶閘管模塊一樣處在通態(tài)，使門極G失去控制作用，這種現(xiàn)象稱為擎住效應(yīng)。

在igbt模塊的設(shè)計(jì)制造時(shí)已盡可能地降低體區(qū)電阻Rbr，使igbt模塊的集電極電流在最大允許值ICM時(shí)，Rbr上的壓降仍低于T2管的起始導(dǎo)電所需要的正偏壓。

但在實(shí)際運(yùn)行中ic一經(jīng)過(guò)大，則將會(huì)出現(xiàn)擎住效應(yīng)。

倘若外線路無(wú)法限制ic的增加，則將會(huì)毀壞元器件。

除過(guò)大的ic將會(huì)產(chǎn)生擎住效應(yīng)外，當(dāng)igbt模塊處在斷開(kāi)情況時(shí)，倘若集電極電源電壓過(guò)高，使T1管漏電流過(guò)大，也將會(huì)在Rbr上產(chǎn)生過(guò)高的壓降，使T2導(dǎo)通而出現(xiàn)擎住效應(yīng)。

將會(huì)出現(xiàn)擎住效應(yīng)的第三個(gè)情況是：在斷開(kāi)過(guò)程中，MOSFET的斷開(kāi)十分迅速，MOSFET關(guān)斷后圖1(b)中三極管T2的J2結(jié)反偏電壓UBA增加，MOSFET斷開(kāi)得越快，集電極電流ic減小得越快，則UCA=Es-R
以上就是傳承電子對(duì)igbt模塊的擎住效應(yīng)的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來(lái)料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。

主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。