igbt模塊的靜態特性

2022-03-18

（1）輸出特性：是UGE一定時集電極電流Ic與集電極-發射極電壓UCE的函數關系，即Ic=f（UCE）。
圖1示出igbt模塊的輸出特性。UGE=0的曲線相應于igbt模塊處在斷態。在線性導電區I，UCE增加，Ic增加。在恒流飽和區Ⅱ，對于一定的UGE，UCE增加，IC不會再隨UCE而增加。

在UCE為負值的反壓下，其特性曲線類似三極管的反方向阻斷特性。

為了使igbt模塊安全運作，它承擔的外加壓、反方向電壓應低于圖1（c）中的正、反方向折轉擊穿電壓。

（2）轉移特性：是圖1（d）所顯示的集電極電流Ic與柵極電壓UGE的函數關系，即Ic=f(UGE)。

當UGE低于開啟閾值電壓UGEth時，等效MOSFET中無法生成導電溝道；所以igbt模塊處在斷態。當UGE>UGEth后，伴隨著UGE的增加，Ic明顯上升。

實際運作中，另加電壓UGE的最大值UGEM通常不超過15V，以限制Ic不超過IGBT管的允許值ICM。igbt模塊在額定電流時的通態壓降通常為1.5~3V。其通態壓降常在其電流較大（接近額定值）時具備正的溫度系數（Ic增加時，管壓降大）；所以在幾個igbt模塊并接使用時igbt模塊元器件具備電流自動調節均流的能力，這就使多個igbt模塊易于并接使用。
以上就是傳承電子對igbt模塊的靜態特性的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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