
雙向可控硅的測(cè)量
雙向可控硅的測(cè)量
2022-03-31
1.判斷各電極用數(shù)字萬(wàn)用表R×1或R×10檔各自測(cè)量雙向可控硅3個(gè)引腳間的正、反方向電阻值,若測(cè)出某個(gè)管腳與其余兩腳均接不上,則此腳就是主電極T2。找到T2極后,剩余的兩腳就是主電極T1和門極G3。測(cè)量這兩腳間的正反向電阻值,會(huì)測(cè)出2個(gè)均較小的電阻值。在電阻值較小(約幾十歐姆)的1次測(cè)量中,黑電筆接的是主電極T1,紅電筆接的是門極G。螺栓形雙向可控硅的螺栓一頭為主要電極T2,較細(xì)的引線端為門極G,較粗的引線端為主要電極T1。金屬封裝(TO–3)雙向可控硅的外殼為主要電極T2。塑封(TO–220)雙向晶徊管的中心引腳為主要電極T2,該極通常與自身帶有小散熱片相接。 2.判斷...
了解詳情
辨別igbt模塊的方法
辨別igbt模塊的方法
2022-03-30
1、辨別極性首先將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)茉赗&TImes;1KΩ擋,用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí),若某個(gè)極與其余兩極電阻值為無(wú)窮大,調(diào)換電筆后該極與其余兩極的電阻值依然為無(wú)窮大,則辨別此極為柵極(G)。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量,若測(cè)出電阻值為無(wú)窮大,調(diào)換電筆后測(cè)量電阻值較小。在測(cè)量電阻值較小的一次中,則辨別紅電筆接的為集電極(C);黑電筆接的為發(fā)射極(E)。2、辨別好壞將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,用黑電筆接igbt模塊的集電極(C),紅電筆接igbt模塊的發(fā)射極(E),這時(shí)數(shù)字萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時(shí)igbt模塊被觸發(fā)導(dǎo)通,數(shù)字萬(wàn)用表的指針擺向電阻值...
了解詳情
雙向可控硅模塊的觸發(fā)形式
雙向可控硅模塊的觸發(fā)形式
2022-03-29
雙向可控硅是由N-P-N-P-N5層半導(dǎo)體材料制作而成的,對(duì)外部也導(dǎo)出3個(gè)電極,其構(gòu)造如下圖所示。雙向可控硅等同于2個(gè)單向可控硅的反方向并接,但只有一個(gè)控制極。 雙向可控硅正反2個(gè)方向都能導(dǎo)通,門極加正負(fù)信號(hào)都能觸發(fā),所以有4種觸發(fā)形式。(1)I+觸發(fā)形式陽(yáng)極電壓為第1陽(yáng)極T1為正,第2陽(yáng)極T2為負(fù);門極電壓G為正,T2為負(fù),特性曲線在第一象限,為正觸發(fā)。(2)I-觸發(fā)形式陽(yáng)極電壓為第1陽(yáng)極T1為正,第2陽(yáng)極T2為負(fù);門極電壓G為負(fù),T2為正,特性曲線在第一象限,為負(fù)觸發(fā)。(3)Ⅲ+觸發(fā)形式陽(yáng)極電壓為第1陽(yáng)極T1為負(fù),第2陽(yáng)極T2為正;門極電壓G為正,T2為負(fù),特性曲線在第三象限,為正觸發(fā)。 ...
了解詳情
IGBT模塊的檢測(cè)方法
IGBT模塊的檢測(cè)方法
2022-03-28
以兩單元舉例:用模擬萬(wàn)用表測(cè)量靜態(tài)檢測(cè):把數(shù)字萬(wàn)用表置于×100檔,檢測(cè)黑電筆接1端子、紅電筆接2端子,呈現(xiàn)電阻值為無(wú)窮大;電筆對(duì)調(diào),呈現(xiàn)電阻值應(yīng)在400Ω左右。用同樣的方法,檢測(cè)黑電筆接3端子、紅電筆接1端子,呈現(xiàn)電阻值為無(wú)窮大;電筆對(duì)調(diào),呈現(xiàn)電阻值應(yīng)在400Ω左右。若合乎上述情況說(shuō)明此igbt模塊的2個(gè)單元沒(méi)有明顯的故障。動(dòng)態(tài)測(cè)試:把數(shù)字萬(wàn)用表的檔位置于乘10K檔,用黑電筆接4端子,紅電筆接5端子,這時(shí)黑電筆接3端子紅電筆接1端子,這時(shí)電阻值為300-400Ω,把電筆對(duì)調(diào)也是有大約300-400Ω的電阻值說(shuō)明此igbt模塊單元是完好的。用同樣的方法測(cè)試1、2端子間的igbt模...
了解詳情
雙向可控硅的基本原理闡述
雙向可控硅的基本原理闡述
2022-03-25
(1)當(dāng)T2、T1極間加正方向電壓(即UT2〉UT1)時(shí),如下圖1-13(a)所顯示。在這樣的情況下,若G極無(wú)電壓,則T2、T1極間不導(dǎo)通;若在G、T1極間加正方向電壓(即UG〉UT1),T2、T1極間馬上導(dǎo)通,電流由T2極流入,從T1極流出,這時(shí)移去G極電壓,T2、T1極間仍處在導(dǎo)通模式。也就是說(shuō),當(dāng)UT2〉UG〉UT1時(shí),雙向可控硅導(dǎo)通,電流由T2極流入T1極,移去G極電壓后,可控硅繼續(xù)處在導(dǎo)通模式。(2)當(dāng)T2、T1極間加反方向電壓(即UT2〈UT1)時(shí),如下圖1-13(b)所顯示。在這樣的情況下,若G極無(wú)電壓,則T2、T1極間不導(dǎo)通;若在G、T1極間加反方向電壓(即UG〈UT1),T...
了解詳情