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辨別igbt模塊的方法
2022-03-30

首先將數字萬用表撥在R&TImes;1KΩ擋,用萬用表測量時,若某個極與其余兩極電阻值為無窮大,調換電筆后該極與其余兩極的電阻值依然為無窮大,則辨別此極為柵極(G)。
其余兩極再用萬用表測量,若測出電阻值為無窮大,調換電筆后測量電阻值較小。在測量電阻值較小的一次中,則辨別紅電筆接的為集電極(C);黑電筆接的為發射極(E)。
2、辨別好壞
將數字萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑電筆接igbt模塊的集電極(C),紅電筆接igbt模塊的發射極(E),這時數字萬用表的指針在零位。
用手指同時觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時igbt模塊被觸發導通,數字萬用表的指針擺向電阻值較小的方向,并能站住指示在某個位置。
之后再用手指同時觸及一下柵極(G)和發射極(E),這時igbt模塊被阻斷,數字萬用表的指針回零。這時就能辨別igbt模塊是好的。
3、任何指針式萬用表皆可用作檢測igbt模塊。
注意辨別igbt模塊好壞時,一定要將數字萬用表撥在R×10KΩ擋,因R×1KΩ擋之下各檔數字萬用表內部電池電壓太低,檢測好壞時不可使igbt模塊導通,而無法辨別igbt模塊的好壞。
此方法同樣也能夠用作檢測功率場效應晶體管(P-MOSFET)的好壞。
以上就是傳承電子對辨別igbt模塊的方法的介紹,傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商,為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工,同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。
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