市場新聞
Market News
雙向可控硅的測量
2022-03-31

找到T2極后,剩余的兩腳就是主電極T1和門極G3。測量這兩腳間的正反向電阻值,會測出2個均較小的電阻值。在電阻值較小(約幾十歐姆)的1次測量中,黑電筆接的是主電極T1,紅電筆接的是門極G。
螺栓形雙向可控硅的螺栓一頭為主要電極T2,較細的引線端為門極G,較粗的引線端為主要電極T1。
金屬封裝(TO–3)雙向可控硅的外殼為主要電極T2。
塑封(TO–220)雙向晶徊管的中心引腳為主要電極T2,該極通常與自身帶有小散熱片相接。

檢測主電極T1與門極G間的正、反方向電阻值,正常時均應在幾十歐姆(Ω)至一百歐姆(Ω)間(黑電筆接T1極,紅電筆接G極時,測出的正方向電阻值較反方向電阻值略小一些)。若測出T1極與G極間的正、反處電阻值均為無窮大,則表明該雙向晶閘管已開路毀壞。
3.觸發功能檢測對運行電流為8A之下的小功率雙向可控硅,可以用數字萬用表R×1檔直接檢測。檢測時先將黑電筆接主電極T2,紅電筆接主電極T1,之后用鑷子將T2極與門極G短路故障,給G極添加正極性觸發信號,若這時測出的電阻值由無窮大變成十幾歐姆(Ω),則表明該雙向晶閘管已被觸發導通,導通方向為T2→T1。
再將黑電筆接主電極T1,紅電筆接主電極T2,用鑷子將T2極與門極G間短路故障,給G極添加負極性觸發信號時,測出的電阻值應由無窮大變成十幾歐姆,則表明該雙向晶閘管已被觸發導通,導通方向為T1→T2。
若在雙向晶閘管被觸發導通后斷開G極,T2、T1極間無法維護低阻導通模式而阻值變成無窮大,則表明該雙向可控硅特性不良或已經毀壞。若給G極添加正(或負)極性觸發信號后,雙向晶閘管仍不導通(T1與T2間的正、反方向電阻值仍為無窮大),則表明該雙向晶閘管已經壞了,無觸發導通功能。
對運行電流以8A以上的中、大功率雙向可控硅,在檢測其觸發功能時,可先在數字萬用表的某支電筆上串連1~3節1.5V干電池,之后再用R×1檔按以上所述方式檢測。
對耐壓為400V以上的雙向可控硅,還可以用220V交流電壓來檢測其觸發功能及特性優劣。
將電源線插頭連接市電后,雙向可控硅處在斷開模式,燈泡不亮(若這時燈泡正常發光,則表明被測雙向晶閘管的T1、T2極間已擊穿短路故障;若燈泡微亮,則表明被測雙向晶閘管漏電毀壞)。按動一下按鈕S,為雙向晶閘管的門極G提供觸發電壓信號,正常時雙向晶閘管應即刻被觸發導通,燈泡正常發光。若燈泡無法發光,則表明被測雙向晶閘管內部開路毀壞。若按動按鈕S時燈泡點亮,松手后燈泡又熄滅,則表明被測雙向晶閘管的觸發特性不良。
以上就是傳承電子介紹的雙向可控硅的測量,傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商,為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工,同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。
上一篇:辨別igbt模塊的方法
下一篇:絕緣柵雙極晶體管(igbt模塊)
關注微信公眾號,了解更多資訊
