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igbt模塊(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS構造雙極元器件，屬于具備功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件。igbt模塊的用范圍通常都是在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區域。多用在工業用電機、民用小容量電機、變換器（逆變器）、照像機的頻閃觀測器、感應加熱（InductionHeating）電飯鍋等行業。

按照封裝的不同，igbt模塊大體上分成2種類型，1種是模壓樹脂密封的三端單體封裝型，從TO－3P到小型表層貼裝都已形成系列。另一種是把igbt模塊與FWD（FleeWheelDiode）成對地（2或6組）封裝起來的模塊型，主要用在工業上。模塊的類型按照用途的不同，分成多種形狀及封裝方式，都已形成系列化。

igbt模塊是強電流、高壓用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。MOSFET由于實現1個較高的擊穿電壓BVDSS需要1個源漏通道，而這個通道卻具備很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具備RDS(on)數值高的特征，igbt模塊消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。

盡管新一代功率MOSFET元器件大幅度改善了RDS(on)特性，但在高電平時，功率導通耗損依然要比igbt模塊高出很多。igbt模塊較低的壓降，轉換成1個低VCE(sat)的能力，以及igbt模塊的構造，與同一個標準雙極元器件相比，可支持更高電流密度，并簡化igbt模塊驅動器的原理圖。

igbt模塊的構造與工作原理

圖1所示為1個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管構造，N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。元器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannelregion）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Draininjector），它是igbt模塊特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低元器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。

igbt模塊的開關作用是通過加正方向柵極電壓生成溝道，給PNP晶體管供應基極電流，使igbt模塊導通。反過來，加反方向門極電壓消除溝道，流經反方向基極電流，使igbt模塊斷開。igbt模塊的驅動方式和MOSFET基本一致，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具備高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道生成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導調制，減少N一層的電阻，使igbt模塊在高電壓時，也具備低的通態電壓。

以上就是傳承電子對絕緣柵雙極晶體管(igbt模塊)的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。