雙向可控硅結構及基本原理

2022-04-28

普通可控硅本質上應屬直流元器件。要操控交流負載，需要將2只可控硅反極性并接，讓每只SCR操控1個半波，為之需2套獨立的觸發線路，使用感到不方便。雙向可控硅是在普通可控硅的基本上快速發展起來的，它不但能替代2只反極性并接的可控硅，并且僅用一個觸發線路，是目前比較理想的交流開關元器件。其英文名稱TRIAC就是三端雙向交流開關的意思。即便從形式上能夠把雙向可控硅看作2只普通可控硅的組合，但其實它是由7只晶體管和多只電阻值構成的功率集成元器件。小功率雙向可控硅一般選用塑料封存裝，有的還帶小散熱極，外型如下圖1所顯示。典型產品有BCM1AM（1A/600V）、BCM3AM（3A/600V）、2N6075（4A/6...

了解詳情

IGBT模塊直流穩壓大功率電源電路設計

2022-04-27

直流大功率電源是現階段工業生產、照明等行業中元素，也是許多技術人員的重點研究方向。本文介紹IGBT模塊的直流穩壓大功率電源方案設計。此方案的單片機調控的逆變電源的整體框架圖如上圖所顯示，單片機控制線路這種大功率開關電源電路倘若要保持直流穩壓的運作效果，則其單片機系統控制線路要用作輸出其所需的電壓、電流量，以保持從一開始所需求的開關電源的電流量和電壓的穩定度，其工作關鍵借助程序運行來輸出恰當的操控信號。在開關電源的硬件設備系統中，單片機關鍵利用采樣線路中的電壓、電流量，與給定值對比后可自動調節，并且還可顯現線路中的電壓、電流量，具備監控功用單片機控制線路由MPS430最小系統、D/A轉換線路、數...

了解詳情

可控硅模塊的運行原理

2022-04-26

可控硅模塊（SCR）靠門極正信號觸發后，撤下信號亦能保持通態。欲使之斷開，需要斷開電源，使正方向電流小于保持電流IH，或施加逆向電壓迫使斷開。這就需要增加換向線路，不但使設備的體積重量增加，還會降低效率，造成波型失真和噪聲?？蓴嚅_可控硅克服了上述缺點，它既留存了普通可控硅耐壓高、電流大等優勢，以具備自斷開能力，使用便捷，是理想的高壓、大電流開關元器件。GTO的容量及使用期限均超出巨型晶體管（GTR），只不過工作頻率比GTR低?，F階段，GTO已做到3000A、4500V的容量。大功率可斷開可控硅已普遍用作斬波調速、變頻調速、逆變電源等行業，展示出強大的生命力?？蓴嚅_可控硅也屬于PNPN四層三端元器件，其構...

了解詳情

設計三電平拓撲的IGBT驅動需解決的問題

2022-04-25

為了能使設計更為易于且保障元器件在應用領域中具有更高的裕量，這種模塊使用了增強型IGBT和二極管芯片，抗壓實現650V。這種新的芯片與眾所周知的600VIGBT3元器件一致，具有同樣的導通特性和開關特性；而且可靠性并沒有發生改變(如SOA、RBSOA、SCSOA)。這種借助新型的IGBT和二極管終端構造的研發能夠實現，并保障了超薄的70?m芯片厚度不發生改變。所以，650VIGBT的集電極－發射極飽和電壓VCE_SAT在25°C依然保持在較低的1.45V水平(150°C時為1.70V)。元器件的開關損耗較低，當開關頻率為16kHz時，損耗僅占逆變器總損耗的3分之一。另外，該IGBT還具有極其平滑的電流拖尾特性...

了解詳情

可控硅的參數和結構

2022-04-22

晶閘管模塊又叫可控硅。自20世紀50年代面世之后現已發展壯大成1個大的家族，它的核心人員有單向可控硅模塊、雙向可控硅、光控可控硅模塊、逆導可控硅模塊、可斷開可控硅模塊、快速可控硅模塊，等等。現在大家用的是單向可控硅模塊，也就是人們常說的普通可控硅模塊，它是由四層半導體材料構成的，有3個PN結，對外有3個電極〔圖2(a)〕：一層P型半導體引出來的電極叫陽極A，三層P型半導體引出來的電極叫調控極G，第四層N型半導體引出來的電極叫陰極K。從晶閘管模塊的電路符號〔圖2(b)〕可以看出，它和二極管一般是一類單方向導電的元件，關鍵是多出一個調控極G，這就使它具備與二極管根本不一樣的工作特征。 可控硅的主要參數有：(1)額...

了解詳情