可控硅模塊運行特性介紹

2022-05-13

阻斷狀態：IG=0，a1+a2極小。穿過可控硅模塊的漏電流稍超過2個晶體管漏電流之和。開通狀態：注入觸發電流使晶體管的發射極電流增加以至a1+a2趨于于1的話，穿過可控硅模塊的電流IA，將趨于于無窮大，完成飽和導通。IA事實上因為外線路負載的限制，會維系有限值。其它幾種可能導通的狀況：1）陽極電壓上升至很高的數值產生雪崩效應2）陽極電壓上升率du/dt過高3）結溫較高4）光觸發僅有門極觸發是最精準、快速而可靠的控制手段?？煽毓枘K的4點運行特性可控硅模塊正常運行時的特性歸納之下：1）承擔反方向電壓時，不管門極是不是有觸發電流，可控硅模塊都不...

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igbt的動態工作特性

2022-05-12

igbt在開通過程中，大多數時間是當作MOSFET來運作的，僅是在漏源電壓Uds下降過程后期，PNP晶體管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on)為開通延遲時間，tri為電流上升時間。實際上使用中常給出的漏極電流開通時間ton即是td(on)tri之和。漏源電壓的下降時間由tfe1和tfe2即是。igbt的觸發和斷開要求給其柵極和基極間再加上正方向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不一樣的驅動線路產生。當選擇這類驅動線路時，務必基于之下的參數來進行：元器件斷開偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為igbt柵極-發射極阻抗大，故可使用MOSFET驅動技術進行觸發，不過因為igbt的輸入電容較...

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可控硅內部結構與工作原理

2022-05-11

可控硅外型有螺栓型和平板型2種封裝。有3個連接端。螺栓型封裝，一般螺栓是其陽極，能與散熱器緊密連接且組裝便捷。平板型可控硅可由2個散熱器將其夾在中間。 圖1.可控硅的外型、構造和電氣圖形符號 a）外型b）構造c）電氣圖形符號常用可控硅的構造 按晶體管的原理，得： Ic1=a1IA+ICBO1      （1-1） Ic2=a2IK+ICBO2     （1-2） IK=IA+IG         &n...

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igbt模塊的靜態工作特性

2022-05-10

igbt模塊的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。igbt模塊的伏安特性指的是以柵源電壓Ugs為參變量時，漏極電流與柵極電壓間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區1、放大區2和擊穿特性3部分。在截止模式下的igbt模塊，正方向電壓由J2結承擔，反方向電壓由J1結承擔。倘若無N+緩沖區，則正反方向阻斷電壓可以達到同樣的水平，進入N+緩沖區后，反方向斷開電壓只可以達到幾十伏水平，所以限制了igbt模塊的某一些使用范圍。igbt模塊的轉移特性指的是輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性一樣...

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可控硅模塊的使用

2022-05-09

一、可控整流好比二極管整流一樣，能夠把交流整流為直流，且在交流電壓沒變的狀況下，便于地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，完成交流——可變直流。 二、交流調壓與調功借助可控硅模塊的開關特性替換老式的接觸調壓器、感應調壓器和飽和電抗器調壓。為了能清除可控硅模塊交流調壓產生的高次諧波，出現了1種過零觸發，完成負載交流功率的無級調節即可控硅模塊調功器。交流——可變交流。三、逆變與變頻直流輸電：將三相高壓交流整流為高壓直流，由高壓直流遠距離輸送以降低耗損，增加電力網的穩定，之后由逆變器將直流高壓逆變為50HZ三相交流。直流——交流。中頻加熱和交流電動機的變頻調速、串激調速等變頻，交流——頻率可變...

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