可控硅模塊運行特性介紹

2022-05-13

阻斷狀態(tài)：IG=0，a1+a2極小。穿過可控硅模塊的漏電流稍超過2個晶體管漏電流之和。

開通狀態(tài)：注入觸發(fā)電流使晶體管的發(fā)射極電流增加以至a1+a2趨于于1的話，穿過可控硅模塊的電流IA，將趨于于無窮大，完成飽和導通。IA事實上因為外線路負載的限制，會維系有限值。

其它幾種可能導通的狀況：

1）陽極電壓上升至很高的數(shù)值產(chǎn)生雪崩效應

2）陽極電壓上升率du/dt過高

3）結(jié)溫較高

4）光觸發(fā)

僅有門極觸發(fā)是最精準、快速而可靠的控制手段。

可控硅模塊的4點運行特性

可控硅模塊正常運行時的特性歸納之下：

1）承擔反方向電壓時，不管門極是不是有觸發(fā)電流，可控硅模塊都不導通。

2）承擔正方向電壓時，僅在門極有觸發(fā)電流的狀況下可控硅模塊才會開通。

3）可控硅模塊一經(jīng)導通，門極就喪失控制作用。

4）要使可控硅模塊關斷，唯有使可控硅模塊的電流降至接近于零的某一數(shù)值之下。

以上就是傳承電子對可控硅模塊運行特性的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

上一篇：igbt的動態(tài)工作特性

下一篇：igbt模塊的原理

關注微信公眾號，了解更多資訊