可控硅的參數和結構

2022-04-22

晶閘管模塊又叫可控硅。自20世紀50年代面世之后現已發展壯大成1個大的家族，它的核心人員有單向可控硅模塊、雙向可控硅、光控可控硅模塊、逆導可控硅模塊、可斷開可控硅模塊、快速可控硅模塊，等等。現在大家用的是單向可控硅模塊，也就是人們常說的普通可控硅模塊，它是由四層半導體材料構成的，有3個PN結，對外有3個電極〔圖2(a)〕：一層P型半導體引出來的電極叫陽極A，三層P型半導體引出來的電極叫調控極G，第四層N型半導體引出來的電極叫陰極K。從晶閘管模塊的電路符號〔圖2(b)〕可以看出，它和二極管一般是一類單方向導電的元件，關鍵是多出一個調控極G，這就使它具備與二極管根本不一樣的工作特征。
可控硅的主要參數有：

(1)額定通態平均電流量IT在某種條件下，陽極---陰極間能夠 持續通過的50赫茲正弦半波電流量的平均值。

(2)正方向阻斷峰值電壓VPF在操控極開路未加觸發信號，陽極正方向電壓還未超出導能電壓時，能夠 重復加在可控硅兩端的正方向峰值電壓。可控硅承受的正方向電壓峰值，不可以超出手冊給定的這個參數值。

(3)反方向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反方向電壓，處于反方向斷開情況時，能夠 重復加在可控硅兩端的反方向峰值電壓。使用時，不可以超出手冊給定的這個參數值。

(4)操控極觸發電流量Ig1、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極——陰極間加有某種電壓時，可控硅從斷開情況轉為導通情況所需要的最小操控極電流量和電壓。

(5)維持電流量IH在規定溫度下，操控極斷路，維持可控硅導通所必需的最小陽極正方向電流量。

近年來，許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號操控兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其斷開的可控硅等等。

以上就是傳承電子對可控硅的參數和結構的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

上一篇：IGBT模塊制作時的一些注意事項

下一篇：設計三電平拓撲的IGBT驅動需解決的問題

關注微信公眾號，了解更多資訊