igbt檢測方法

2021-09-03

igbt是經過柵極驅動電壓來調節的開關晶體管，普遍用作變頻器中當作直流逆變成交流的電力電子元器件。IGBT管的構造和原理與場效應晶體管（一般稱之為MOSFET管）相同。IGBT管的符號如下圖2所顯示。G為柵極，C為集電極，E為發射極。 數字萬用表檢測IGBT管的方式如下所示：（1）確定3個電極假定管子是好的，先確定柵極G。將數字萬用表打到R×10kΩ擋，若檢測到某一極與別的兩極電阻值為無窮大，而對換表筆后測出該極與別的兩極電阻值為無窮大，則可判定此極為柵極（G）。再檢測剩下的兩極。若測出電阻值為無窮大，而對換表筆后測出電阻值較小，這時紅表筆（實為負極）接的為集電極（C），黑表筆（實為正極）接的為發射極（E）...

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可控硅模塊的靜態特性運行特性

2021-09-03

（1）正方向特性IG=0時，元器件兩邊增加正方向電壓，僅有極小的正方向漏電流，為正方向阻斷狀態。正方向電壓超過正方向轉折電壓Ubo，則漏電流急劇增加，元器件開通。由于門極電流幅值的增加，正方向轉折電壓降低。可控硅本身的壓降極小，在1V左右。 圖3.可控硅的伏安特性（2）反方向特性反方向特性相似二極管的反方向特性。反方向阻斷狀況時，僅有極小的反相漏電流經過。當反方向電壓達到反方向擊穿電壓后，將會造成可控硅起熱毀壞。以上就是傳承電子對可控硅模塊的靜態特性運行特性的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功...

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igbt功率模塊的基本參數

2021-09-03

igbt功率模塊絕緣柵雙極型晶體管模塊是場效應晶體管（MOSFET）和電力晶體管（GTR）組合而成的產品。它具備輸入阻抗高、驅動功率小、開關損耗低、溫度特性好及其開關頻率高等特性。它比GTR（或BJT）更加新穎。IGBT模塊的擊穿電壓已做到1200V，集電極最大飽和電流已高于1500A，最高工作頻率能達30～40kHz，以igbt模塊為逆變器件的變頻器的載波頻率一般是在10kHz之上，故電動機的電流波型較為平滑，電磁噪聲極小。缺陷是斷態時的擊穿電壓較低（最大約3.3kV），功能損耗很大，線路較繁雜。 igbt模塊的基本參數（1）集電極-發射極額定電壓UCES是igbt模塊在斷開情況下集電極與發射極中...

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可控硅過電壓及保護

2021-09-03

1．可控硅關斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應過電壓）及保護可控硅從導通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）放出能量形成過電壓。因為可控硅在導通期內，載流子充滿元器件內部，在關斷過程中，管子在反方向作用下，正方向電流降低到零時，元器件內部殘留著載流子。這類載流子在反方向電壓作用下瞬間發生較大的反方向電流，使殘留的載流子快速消退，此時反方向電流減少即diG/dt極大，形成的感應電勢較大，這一電勢與電源串接，反方向放到已恢復阻斷的元器件上，可造成 可控硅反方向擊穿。這就是關斷過電壓（換相過電壓）。數值達到工作電壓的5~6倍。保障措施：在可控硅兩端并接阻容吸收線路。2．交流側過電壓以及保護因為...

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igbt的運行原理

2021-09-03

igbt絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）構成的復合全控型電壓驅動式功率半導體元器件，兼具MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩層面的優勢。GTR飽和壓下降，載流密度大，但驅動電流過大；MOSFET驅動功率較小，控制開關速率快，但導通壓降大，載流密度小。igbt結合了之上2種器件的優勢，驅動功率小而飽和壓下降。 igbt特別適合使用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等行業。圖1所顯示為1個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管構造，N+區稱作源區，附于其上的電極稱作源極。N+區稱作漏區。器件的控制區為柵區，附于其...

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