可控硅的構(gòu)造

2021-09-07

可控硅模塊，是可控硅整流元器件的簡稱，是某種具備3個PN結(jié)的四層構(gòu)造的大功率半導體元器件，亦稱作可控硅。具備體型小、構(gòu)造相比簡單、功能強等特性，是較為常見的半導體元器件其一。可控硅模塊分單向可控硅和雙向可控硅模塊2種。雙向可控硅模塊也叫三端雙向可控硅模塊，簡稱TRIAC。雙向可控硅模塊在結(jié)構(gòu)上等同于2個單向可控硅反方向連接，這類可控硅模塊具備雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝嗲闆r由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正方向（或反方向）導通。這類設(shè)備的特點是控制線路簡單，沒有反方向耐壓問題，因此 十分適合做交流無觸點開關(guān)使用。可控硅模塊構(gòu)造可控硅模塊具備3個PN結(jié)（J1、J2、J3），組成了四層P1N1P2N...

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IGBT的組裝接線圖

2021-09-07

涂敷同樣厚度的導熱膏（尤其是涂敷厚度較厚的情形下）可讓無銅底部板的模塊比有銅底部板散熱的模塊的起熱更嚴峻，最后導致模塊的結(jié)溫超過模塊的安全工作的結(jié)溫上限（Tj《125℃或125℃）。由于散熱器表層不平整所引發(fā)的導熱膏的厚度增加，會增大觸碰熱阻，從而減慢熱量的擴散速度。IGBT模塊組裝時，螺釘?shù)膴A緊方式如下圖2所顯示。此外，螺釘應(yīng)以推薦的夾緊力矩范圍給予夾緊。倘若該力矩不足，將會使觸碰熱阻變大，或運行中出現(xiàn)松動。反之，倘若力矩過大，將會引發(fā)外殼破壞。將IGBT模塊組裝在由擠壓模制作的散熱器上時，IGBT模塊的組裝與散熱器擠壓方向平行，這是為了能減小散熱器變形的影響。 圖2螺釘?shù)膴A緊方式把模塊電焊到PCB...

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可控硅模塊的好壞特性

2021-09-06

一、何為可控硅模塊可控硅模塊（Thyristor）是1種開關(guān)元件，能在高電壓、大電流情況下運行，且其運行過程能夠控制、被普遍使用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子線路中，是典型的小電流控制大電流的設(shè)施。1957年，美國通用電器公司開發(fā)出世上第1個可控硅模塊產(chǎn)品，并且在1958年使其商業(yè)化。可控硅模塊導通情況為：加正方向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生元器件有：快速可控硅模塊，雙向晶閘管，逆導可控硅模塊，光控可控硅模塊等。它是1種大功率開關(guān)型半導體器件，在線路中用文字符號為“V”、“VT”表達（舊標準中用字母“SCR”表達）。二、可控硅模塊構(gòu)造它是由1個P-N-P-N四層（4layers...

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igbt功率模塊實物接線圖解析

2021-09-07

IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）借助指定的線路橋接封裝而成的模塊化半導體商品；封裝后的IGBT模塊可以直接使用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)施上；IGBT模塊具備節(jié)能、組裝檢修便捷、散熱穩(wěn)定等特性；當今市場上出售的多以這類模塊化商品，通常所指的IGBT也指IGBT模塊；隨之環(huán)保節(jié)能等觀念的推動，這類商品在市場上將愈來愈多見。IGBT模塊連接圖 IGBT模塊的組裝：為了能使觸碰熱阻減小，建議在散熱器與IGBT模塊的組裝面中間涂敷散熱絕緣混合劑。涂敷散熱絕緣混合劑時，在散熱器或IGBT模塊的金屬基板表層涂敷。如下圖1所顯示。隨之IGBT模塊與散熱器借助螺釘夾緊...

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可控硅的動態(tài)特性運行特性

2021-09-03

可控硅的動態(tài)特性運行特性（1）開通過程延遲時間td（0.5~1.5ms）上升時間tr（0.5~3ms）開通時間tgt上述二者之和，tgt=td+tr（1-6） 圖4.可控硅的開通和斷開過程波形（2）斷開過程反方向阻斷恢復時間trr正方向阻斷恢復時間tgr斷開時間tq上述二者之和tq=trr+tgr（1-7）普通可控硅的斷開時間約幾百微秒以上就是傳承電子對可控硅的動態(tài)特性運行特性的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。...

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