igbt功率模塊的保護吸收線路構造

2021-09-10

因為線路中分布電感的存在，加上igbt模塊開關速度較高，當igbt模塊斷開時及與之并接的反向恢復二極管逆相恢復時，會形成極大的浪涌電壓Ldi/dt，進而影響igbt模塊的安全性。所以務必采取有效措施抑止浪涌電壓，保護igbt模塊不被毀壞。能夠 選用加裝保護吸收線路的方法來抑止浪涌電壓。其工作原理如圖3所顯示，該保護吸收線路有良好的抑止效果，具備保護吸收中發生耗損小的優勢。 1保護線路原理解析以開關管T1斷開時刻為起始點來解析吸收線路的工作原理，其運行環節可分成：線性化換流、母線寄生電感Lp諧振能量和吸收電容Cs放點共3個時期。線性化換流時期從開關管T1接收斷開信號開始到開關管T1全斷開結束。流過母線寄...

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可控硅的結構原理

2021-09-09

可控硅模塊(SiliconControlled Recfier)通稱SCR，是1種大功率電子元件，也稱晶閘管。它具備體型小、效率高、使用期長等優勢。在自動控制系統中，可做為大功率驅動器件，完成用小功率控件控制大功率設施。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中取得了普遍的運用。可控硅模塊分單向可控硅和雙向可控硅2種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，通稱TRIAC。雙向可控硅構造等同于2個單向可控硅反方向聯接，這類可控硅模塊具備雙向導通功用。其通斷情況由控制極G確定。在控制極G上添正脈沖(或負脈沖)可致其正方向(或反方向)導通。這類設備的優勢是控制線路簡易，無反方向耐壓情況，所以十分適合做交流無觸點開關使用。工作原理...

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igbt線路的逆變器設計與解析

2021-09-09

電能分成交流電能與直流電能，由交流電能轉為直流電能的環節稱作整流，由直流電能轉為交流電能的環節稱作逆變。逆變器便是1種實現直流電能向交流電能變換的設備。交流電機通常選用交-直-交逆變電源的供電模式，即如今電網供應的交流電經過整流、濾波變為直流電，再經過逆變器將直流電變為所需用的交流電源，給電機供電。所以逆變器是當中較重要的工藝設備其一。伴隨著半導體器件的發展壯大，igbt模塊愈來愈多的被運用到交流傳動工藝中。文中主要解析igbt模塊構成的交流傳動用逆變器的主線路構造，包括主線路方式、驅動線路與緩沖吸收保護線路的實現。主線路構造工作原理圖1為典型的逆變器構造工作原理。它由三部分構成：逆變線路、驅動保護線...

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可控硅模塊的原理

2021-09-08

在分析可控硅模塊原理時，我們通常將這類四層P1N1P2N2構造當作由1個PNP管和NPN管組成，如下圖所顯示。 當陽極A端添加正方向電壓時，BG1和BG2管均處在放大情況，這時由控制極G端輸入正方向觸發信號，促使BG2管有基極電流ib2根據，根據BG2管的放大后，其集電極電流為ic2=β2ib2。而ic2沿線路流至BG1的基極，故有ib1=ic2，電流又經BG1管的放大功效后，獲得BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2。此電流又流回BG2的基極，促使BG2的基極電流ib2增加，進而生成正方向反饋使電流劇增，進而促使可控硅模塊飽和并導通。因為在線路中生成了正反饋，因此可控硅模塊一經導通后難以斷開...

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IGBT功率模塊組裝中應小心的事項

2021-09-08

1）要在無電源時做好組裝，裝卸時應選用接地保護操作臺，接地地面，接地腕帶等防靜電方式。先讓身體和衣服上攜帶的靜電借助高電阻（1Ωn左右）接地線放電后，再在接地保護的導電性墊板上做好操作。要拿封裝主體，不可直接觸碰端子（尤其是控制端子）部。不可做讓模塊電極的端子承擔過大應力。2）IGBT模塊的散熱器應按照運行條件和環境及IGBT模塊基本參數做好配對選擇，以保障GBT模塊運行時對散熱器的要求。為了能降低觸及熱阻，建議在散熱器與IGBT模塊間涂上一層薄薄的導熱硅脂。3）IGBT模塊組裝到散熱片處時，要先在模塊的背面涂上散熱絕緣混合劑（導熱膏），再用推薦的夾緊力距完全旋緊。此外，散熱片上組裝螺絲的位置間的平坦度應控制在100...

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