可控硅的動態特性運行特性

2021-09-03

可控硅的動態特性運行特性

（1）開通過程

延遲時間td（0.5~1.5ms）

上升時間tr（0.5~3ms）

開通時間tgt上述二者之和，tgt=td+tr（1-6）
圖4.可控硅的開通和斷開過程波形

（2）斷開過程

反方向阻斷恢復時間trr

正方向阻斷恢復時間tgr

斷開時間tq上述二者之和tq=trr+tgr（1-7）

普通可控硅的斷開時間約幾百微秒

以上就是傳承電子對可控硅的動態特性運行特性的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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