igbt檢測方法

2021-09-03

igbt是經過柵極驅動電壓來調節的開關晶體管，普遍用作變頻器中當作直流逆變成交流的電力電子元器件。IGBT管的構造和原理與場效應晶體管（一般稱之為MOSFET管）相同。IGBT管的符號如下圖2所顯示。G為柵極，C為集電極，E為發射極。
數字萬用表檢測IGBT管的方式如下所示：

（1）確定3個電極假定管子是好的，先確定柵極G。將數字萬用表打到R×10kΩ擋，若檢測到某一極與別的兩極電阻值為無窮大，而對換表筆后測出該極與別的兩極電阻值為無窮大，則可判定此極為柵極（G）。再檢測剩下的兩極。若測出電阻值為無窮大，而對換表筆后測出電阻值較小，這時紅表筆（實為負極）接的為集電極（C），黑表筆（實為正極）接的為發射極（E）。

（2）判定管子的好壞將數字萬用表打到R×10kΩ擋，用黑電筆接C極，紅電筆接E極，這時數字萬用表的指針在零位，用手指一起觸碰一下G極和C極，數字萬用表的指針擺向電阻值較小的方向（igbt被觸發導通），并提示在某個位置再用手指一起觸碰G極和E極，數字萬用表的指針回零（igbt被阻斷），就可以辨別igbt是好的。

倘若不符上述現象，則可辨別igbt是壞的。用此立法也可檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。

以上就是傳承電子對igbt檢測方法的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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