可控硅模塊主要特性參數(shù)

2021-08-31

1．正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小的）2．額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門極觸發(fā)電流IGT，門極觸發(fā)電壓UGT，（受溫度變化）4．通態(tài)平均電壓UT（AV）即管壓降5．維系電流IH與掣住電流IL6．開通與關(guān)斷時(shí)間可控硅合格證書主要參數(shù)IT（AV）=A（TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正方向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-----------...

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igbt功率模塊塊運(yùn)行中的動態(tài)性能

2021-08-31

igbt功率模塊在啟動整個(gè)過程中，大部分時(shí)間當(dāng)做MOSFET來運(yùn)轉(zhuǎn)的，僅在漏源電壓Uds下降整個(gè)過程中后期，PNP晶體三極管由變大區(qū)至飽和狀態(tài)，又提高了一段時(shí)間延遲。td（on）為啟動時(shí)間延遲，tri為電流增益值。主要使用中常會算出的漏極電流啟動時(shí)間ton便是td（on）tri之和。漏源電壓的下降時(shí)間由tfe1和tfe2組成。igbt模塊的啟動和斷開要求給其柵極和基極中間再添加正向電壓和反向電壓，柵極電壓可由不同的光耦線路引起。當(dāng)選擇這類光耦線路時(shí)，必須按照下列的主要參數(shù)來展開：元器件斷開參考點(diǎn)的要求、柵極正電荷的要求、耐固性要求和開關(guān)電源的情況。因?yàn)閕gbt模塊柵極-發(fā)射極特性阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動器技術(shù)性展開啟...

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可控硅導(dǎo)通條件

2021-08-30

可控硅添加正方向陽極電壓后，門極添加恰當(dāng)正方向門極電壓，使可控硅導(dǎo)通環(huán)節(jié)稱作觸發(fā)。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，門極就對它喪失控制功能，普通在門極上只需添加1個(gè)正方向脈沖電壓就可以，稱作觸發(fā)電壓。門極在特定條件下能夠觸發(fā)可控硅導(dǎo)通，但不能使其斷開。要使導(dǎo)通的可控硅恢復(fù)阻斷，可降低陽極電壓，或增加負(fù)載電阻，使流過可控硅的陽極電流降低至維系電流（IH）（當(dāng)門極斷開時(shí)，可控硅從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持可控硅導(dǎo)通所需的最小陽極電流叫維系電流），電流會突然降到零，過后再提升電壓或降低負(fù)載電阻，電流并不會再增加，表明可控硅已恢復(fù)阻斷。 根據(jù)可控硅陽極伏安特性，能夠總結(jié)出：1．門極斷開時(shí)，可控硅的正方向漏電流比普通硅二極管反方...

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igbt運(yùn)行中的靜態(tài)性能

2021-08-30

igbt的靜態(tài)性能，靜態(tài)數(shù)據(jù)性能重要有光電流性能、遷移性能和電源開關(guān)性能。（1）光電流性能：igbt的光電流性能是指以柵源電壓Ugs為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)連曲線圖。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的操縱，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出性能相似。也可分為飽和狀態(tài)區(qū)1、變大區(qū)2和穿透性能3一部分。在截止?fàn)顩r下的igbt，正向電壓由J2結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。倘若無N緩沖區(qū)域，則正反面向阻隔電壓可以維持相同水準(zhǔn)，加上N緩沖區(qū)域后，反向斷開電壓僅有達(dá)到幾十伏水準(zhǔn)，所以限制了igbt的某些使用范疇。（2）遷移性能：igbt的遷移性能是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關(guān)連曲線圖。它與MOSFE...

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可控硅模塊SiCMOSFET的橋臂串?dāng)_電壓解析

2021-08-27

可控硅SiCMOSFET的橋臂串?dāng)_電壓解析 抑制辦法：1）AMC;2）驅(qū)動電源穩(wěn)負(fù)壓；3）門極TVS、二極管鉗位；以上就是傳承電子對可控硅模塊SiCMOSFET的橋臂串?dāng)_電壓解析的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。...

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