IGBT功率模塊的優劣檢驗辦法

2021-08-27

IGBT管的優劣能用指針萬用表的Rxlk擋來檢驗，或用數字萬用表的“二極管”擋來檢測PN結正方向壓降完成判斷。 檢驗前先將IGBT管3只引腳短路放電，防止影響檢驗的準確度；之后用指針萬用表的兩枝電筆正反測G、e兩極及G、c兩極的電阻值，針對正常的IGBT管（正常G、C兩極與G、c兩極間的正反向電阻值均為無窮大；里面有阻尼二極管的IGBT管正常時，e、C極間均有4kΩ正方向電阻值），以上所測值均為無窮大；最后用指針萬用表的紅筆接c極，黑筆接e極，若所測值在3．5kΩl左右，則所測管為含阻尼二極管的IGBT管，若所測值在50kΩ左右，則所測IGBT管內不含阻尼二極管。針對數字萬用表，正常情況下，IGBT管的C、C...

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怎么解決可控硅SiCMOSFET的橋臂串擾？

2021-08-26

SiCmosfet三相全橋逆變線路中，同一個橋臂上下功率器件很容易受元器件寄生參數的影響而相互產生干擾，該狀況稱之為橋臂串擾。這類狀況很容易導致橋臂直通或 燒毀功率器件。SiCMOSFET與SiIGBT對比，SiCMOSFET的柵極電壓極限值和柵極閾值電壓都相應較低，橋臂串擾情況愈發突出。在考慮SiCMOSFET寄生參數的影響下。 1）開通過程 2）關斷過程 以上就是傳承電子對怎么解決可控硅SiCMOSFET的橋臂串擾的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加...

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igbt驅動維護線路的多功能型

2021-08-26

1.多功能型多功能型的大功率igbt模塊驅動維護線路除了供應直接驅動igbt模塊的作用以外，還能夠供應完善的維護作用，如hcpl-316j、m57962等，如下圖2和圖3所顯示，它們通常選用混合厚膜封裝工藝或 選用集成封裝工藝，能夠直接兼容cmos/ttl電平。設計師進行設計時通常只要搭配隔離電源線路、死區控制回路、邏輯處理線路、門極驅動電阻等，就可以變為1個比較完整的大功率igbt模塊驅動維護線路。m57962、hcpl-316j等驅動器自身具備比較完整的維護作用，集成度高。其最大的特點是使開發人員的工作獲得簡化，且可靠性高，十分適合多路驅動的場所。但是因為它們的驅動能力也比較有限，倘若驅動更高功率的igbt模塊，...

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可控硅的內部結構

2021-08-25

可控硅主要使用于無觸點開關，調速，調光，穩壓，變頻等層面。可控硅在自動控制控制，機電行業，工業電氣及家電等層面都是有普遍的運用。可控硅是1種有源開關元件，平常它維持在非導通模式，直到由1個較少的控制信號對其觸發或稱“點火”使其導通，一經被點火即便撤走觸發信號它也維持導通模式，要讓其斷開可在其陽極與陰極間添加反方向電壓或將流過可控硅二極管的電流減少到某一個值之下。 可控硅二極管可以用兩種不一樣極性（P-N-P和N-P-N）晶體管來模擬，如下圖G1所顯示。當可控硅的柵極懸空時，BG1和BG2都處在斷開模式，這時線路基本上無電流流過負載電阻RL，當柵極輸入1個正脈沖電壓時BG2導通，使BG1的基極電位降低，BG1因...

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igbt功率模塊驅動維護線路的單一功能型

2021-08-25

根據大功率igbt模塊驅動維護線路能夠完成的作用來劃分，能夠將大功率igbt模塊驅動維護線路分成下列3種劃分:單一功能型、多功能型、全功能型。單一功能型單一功能型的大功率igbt模塊驅動維護線路通常是由光耦和功率緩沖器構成，如hcpl-3150等，如下圖1所顯示。它將普通控制信號的ttl/cmos輸入電平信號轉換為正負十多伏的igbt模塊門極驅動輸出電平，正負電平的幅度值決定于隔離電源。 圖1　hcpl-3150基本原理框圖及引腳示意圖設計師進行設計時可將它搭配隔離電源線路、死區控制回路、邏輯處理線路、門極驅動電阻等，就可直接驅動igbt模塊，建立簡單的大功率igbt模塊驅動維護線路;也能夠自...

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