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igbt的靜態(tài)性能，靜態(tài)數(shù)據(jù)性能重要有光電流性能、遷移性能和電源開關(guān)性能。

（1）光電流性能：igbt的光電流性能是指以柵源電壓Ugs為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)連曲線圖。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的操縱，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出性能相似。也可分為飽和狀態(tài)區(qū)1、變大區(qū)2和穿透性能3一部分。在截止?fàn)顩r下的igbt，正向電壓由J2結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。倘若無N緩沖區(qū)域，則正反面向阻隔電壓可以維持相同水準(zhǔn)，加上N緩沖區(qū)域后，反向斷開電壓僅有達(dá)到幾十伏水準(zhǔn)，所以限制了igbt的某些使用范疇。

（2）遷移性能：igbt的遷移性能是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關(guān)連曲線圖。它與MOSFET的遷移性能同樣，當(dāng)柵源電壓小于打開電壓Ugs（th）時，igbt處于斷開狀況。在igbt通斷后的大部分漏極電流范疇內(nèi)，Id與Ugs呈線性相關(guān)。柵源電壓受漏極電流限制，其值通常起名叫15V左右。
（3）電源開關(guān)動畫特效：igbt的電源開關(guān)性能是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)連。igbt處于導(dǎo)通態(tài)時，因?yàn)樗腜NP晶體三極管為寬基區(qū)晶體三極管，所以其B值極低。盡管閉合線路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但穿過MOSFET的電流變?yōu)閕gbt總電流的重要一部分。此時，通態(tài)電壓Uds（on）可用下式說明

Uds（on）=Uj1UdrIdRoh

式中Uj1——JI結(jié)的正向電壓，其數(shù)值0.7～1V;Udr——擴(kuò)展電阻Rdr上的耗損;Roh——斷面電阻器。

通態(tài)電流Ids可用下式說明：Ids=（1Bpnp）Imos；式中Imos——穿過MOSFET的電流。

由于N區(qū)存在氧化還原電位調(diào)配效用，所以igbt的通態(tài)耗損小，抗壓1000V的igbt通態(tài)耗損為2～3V。igbt處于斷態(tài)時，僅有很小的泄露電流存在。

以上是傳承電子對igbt運(yùn)行中的靜態(tài)性能的介紹，并提供了相應(yīng)的等效線路。依據(jù)上述解析，如啟動延時等效電路圖，在給柵極電容充電的時期，驅(qū)動電阻的值越小，時間常數(shù)越小，進(jìn)而柵極電壓升高越快，啟動延遲的時間越小。由米勒平臺時期等效電路圖得知，驅(qū)動電阻越小，相同的柵極平臺電壓值，平臺持續(xù)時間也越小。驅(qū)動電阻越小，平臺電壓隨后，升高到最大柵極電壓的時間也越小。