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可控硅過(guò)電壓及保護(hù)
2021-09-03
1.可控硅關(guān)斷過(guò)電壓(換流過(guò)電壓、空穴積蓄效應(yīng)過(guò)電壓)及保護(hù)
可控硅從導(dǎo)通到阻斷,線路電感(主要是變壓器漏感LB)放出能量形成過(guò)電壓。因?yàn)榭煽毓柙趯?dǎo)通期內(nèi),載流子充滿元器件內(nèi)部,在關(guān)斷過(guò)程中,管子在反方向作用下,正方向電流降低到零時(shí),元器件內(nèi)部殘留著載流子。這類(lèi)載流子在反方向電壓作用下瞬間發(fā)生較大的反方向電流,使殘留的載流子快速消退,此時(shí)反方向電流減少即diG/dt極大,形成的感應(yīng)電勢(shì)較大,這一電勢(shì)與電源串接,反方向放到已恢復(fù)阻斷的元器件上,可造成 可控硅反方向擊穿。這就是關(guān)斷過(guò)電壓(換相過(guò)電壓)。數(shù)值達(dá)到工作電壓的5~6倍。
保障措施:在可控硅兩端并接阻容吸收線路。
2.交流側(cè)過(guò)電壓以及保護(hù)
因?yàn)榻涣鱾?cè)線路在連接或斷開(kāi)時(shí)發(fā)生暫態(tài)過(guò)程,會(huì)形成操作過(guò)電壓。高壓合閘的瞬間,因?yàn)槌醮渭?jí)間存有分布電容,初級(jí)高壓經(jīng)電容耦合到次級(jí),發(fā)生瞬間過(guò)電壓。方法:在三相變壓器次級(jí)星形中心點(diǎn)與地間并接恰當(dāng)電容,就可以明顯減少這類(lèi)過(guò)電壓。與整流器并接的其余負(fù)載斷開(kāi)時(shí),因電源回路電感形成感應(yīng)電勢(shì)的過(guò)電壓。變壓器空載且電源電壓過(guò)零時(shí),初級(jí)拉閘,因變壓器激磁電流的驟變,在次級(jí)感出現(xiàn)很高的瞬間電壓,這類(lèi)電壓尖峰值達(dá)到工作電壓的6倍之上。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)入侵干擾過(guò)電壓,即偶發(fā)性浪涌電壓,都需要加阻容吸收路實(shí)現(xiàn)保護(hù)。
3.直流側(cè)過(guò)電壓及保護(hù)
當(dāng)負(fù)載斷開(kāi)時(shí)或快熔斷時(shí),存儲(chǔ)在變壓器中的磁場(chǎng)能量會(huì)形成過(guò)電壓,毫無(wú)疑問(wèn)在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)線路能夠遏制這類(lèi)過(guò)電壓,但因?yàn)樽儔浩鬟^(guò)載時(shí)存儲(chǔ)的能量比空載時(shí)要大,還無(wú)法徹底清除。
方法:能常使用壓敏吸收實(shí)現(xiàn)保護(hù)。
4.過(guò)電流保護(hù)
通常加快速熔斷器實(shí)現(xiàn)保護(hù),事實(shí)上它不能保護(hù)可控硅,只是保護(hù)變壓器線圈。
以上就是傳承電子對(duì)可控硅過(guò)電壓及保護(hù)的介紹,傳承電子是一家以電力電子為專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商,為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工,同時(shí)還給眾多公司提供來(lái)料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。
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