igbt功率模塊的基本參數(shù)

2021-09-03

igbt功率模塊絕緣柵雙極型晶體管模塊是場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和電力晶體管（GTR）組合而成的產(chǎn)品。它具備輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)損耗低、溫度特性好及其開(kāi)關(guān)頻率高等特性。它比GTR（或BJT）更加新穎。

IGBT模塊的擊穿電壓已做到1200V，集電極最大飽和電流已高于1500A，最高工作頻率能達(dá)30～40kHz，以igbt模塊為逆變器件的變頻器的載波頻率一般是在10kHz之上，故電動(dòng)機(jī)的電流波型較為平滑，電磁噪聲極小。缺陷是斷態(tài)時(shí)的擊穿電壓較低（最大約3.3kV），功能損耗很大，線路較繁雜。
igbt模塊的基本參數(shù)

（1）集電極-發(fā)射極額定電壓UCES是igbt模塊在斷開(kāi)情況下集電極與發(fā)射極中間可以承載的最大電壓，一般UCES小于或等于元器件的雪崩擊穿電壓。

（2）柵極-發(fā)射極額定電壓UGE是igbt模塊柵極與發(fā)射極中間容許增加的最大電壓，一般為20V。柵極的電壓信號(hào)調(diào)節(jié)igbt模塊的導(dǎo)通和斷開(kāi)，其電壓不能高于UGE。

（3）集電極額定電流IC是igbt模塊在飽和導(dǎo)通情況下，容許持續(xù)經(jīng)過(guò)的最大電流。

（4）集電極-發(fā)射極飽和電壓UCE是igbt模塊在飽和導(dǎo)通情況下，集電極與發(fā)射極中間的電壓降。該值越小，則管子的功率耗損越小。

（5）開(kāi)關(guān)頻率在igbt模塊的使用手冊(cè)中，開(kāi)關(guān)頻率是以導(dǎo)通時(shí)間tON、下降時(shí)間t1和斷開(kāi)時(shí)間tOFF得出的，按照這種參數(shù)可測(cè)算出igbt模塊的開(kāi)關(guān)頻率，一般能達(dá)30～40kHz。在變頻器中，實(shí)際應(yīng)用的載波頻率大多數(shù)在15kHz之下。

以上就是傳承電子對(duì)igbt功率模塊的基本參數(shù)的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來(lái)料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。

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