新的igbt功率模塊內部封裝工藝

2022-01-19

傳承電子發布新的igbt模塊內部封裝工藝。該工藝可大幅度延長IGBT模塊的使用期限。全新的.XT工藝可改進IGBT模塊內部全部相連的使用期限。借助這些全新的封裝工藝，傳承電子可達到具有更高功率循環的新興使用的要求，并為提升功率密度和實現更高工作結溫鋪平道路。全新.XT工藝對于目前工藝，能夠讓IGBT模塊的使用期限延長10倍，或使輸出功率提升25％。這類新技術可支撐高至200°C的結溫。功率循環會造成溫度轉變，并造成IGBT模塊內部相連部位生成機械應力。芯片各層的熱膨脹系數不一樣，會造成熱應力，造成材料疲勞和毀壞。全新.XT工藝涵蓋IGBT模塊內部相關功率循環功能的全部關鍵點：芯片正面的鍵合線、芯片背部的...

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可控硅的過壓保護

2022-01-18

可控硅元器件的電壓和電流過載能力極差，尤其是耐壓能力，瞬時的過壓便會導致元器件永久性的毀壞。為了能使元器件能長期可靠地運行，必須針對過壓和過電流發生的因素實行保護措施。過壓保護可控硅作業過程中將會承擔的過壓主要有下列幾類：1種是因為設備拉、合閘、負載打火等引發的過壓；1種是因為元器件關斷時產生的關斷電壓；再有因雷擊等因素從電網侵入的浪涌電壓。為限制過電壓的幅值低過元器件的正反向峰值電壓，可實行下列保護措施(見圖二)。 (1)在變壓器1次側連上避雷器，在2次側加裝阻容保護、硒堆、壓敏電阻等非線性電阻元器件進行保護。在整流直流側實行壓敏電阻和泄能保護設備，以避免元器件承擔過電壓。 ...

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igbt模塊組成的驅動線路

2022-01-17

使用成品驅動模塊線路來驅動IGBT，可以大幅提高設備的可靠性，現階段市面上可以購買到的驅動模塊主要有：富士的EXB840、841，三菱的M57962L，落木源的KA101、KA102，傳承的HCPL316J、3120等。這類模塊均具備過流軟斷開、高速光耦隔離、欠壓鎖定、故障信號輸出作用。因為這類模塊具備保護功能完善、免調試、可靠性高的特性，所以使用這類模塊驅動IGBT可以縮減產品開發周期，提升產品可靠性。HCPL316J的典型線路如下圖4所顯示。 圖4由驅動模塊組成的驅動線路HCPL316J可以驅動150A/1200V的igbt模塊，光耦隔離，COMS/TTL電平兼容，過流軟斷開，最大開關速度500n...

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可控硅模塊(晶閘管）參數說明

2022-01-14

1.參數表中所列出的數據信息，ITSM、I2t、dv/dt、di/dt指的是元器件能夠滿足的最小值,Qr、VTM、VTO、rT指元器件可滿足(不超過)的最大值。2.通態平均電流額定值ITAV(IFAV)ITAV(IFAV)指在雙面冷卻情況下，確保散熱器溫度55℃時，準許元器件經過的最大正弦半波電流平均值。ITAV(IFAV)相應元器件額定有效值IRMS=1.57ITAV。實際運行中，若無法確保散熱器溫度小于55℃或散熱器與元器件接觸熱阻遠高于規定值，則元器件應降額運行。3.可控硅模塊通態電流上升率di/dt參數表中所給的為元器件通態電流上升率的臨界重復值。其相應不重復測試值為重復值的2倍以上，在...

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igbt功率模塊典型的門極驅動線路講解

2022-01-13

1、脈沖變壓器驅動線路脈沖變壓器驅動線路如下圖2所顯示，V1～V4組成脈沖變壓器一次側驅動線路，利用控制V1、V4和V2、V3的輪番導通，將驅動脈沖加至變壓器的一次側，二次側利用電阻R1與IGBT5柵極連接，R1、R2避免 IGBT5柵極開路并供應充放電回路，R1上并接的二極管為加速二極管，用來提升IGBT5的開關速度，穩壓二極管VS1、VS2的功能是限制添加在IGBT5g-e端的電壓，防止過高的柵射電壓擊穿柵極。柵射電壓通常不得超過20V。 圖2脈沖變壓器驅動線路2、光耦隔離驅動線路光耦隔離驅動線路如下圖3所顯示。因為igbt模塊是高速元器件，所選擇的光耦必須是小延時的高速型光耦，由PWM控...

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