igbt模塊串連均壓辦法

2022-02-17

對于igbt模塊串連運用中斷開過程均壓問題，對igbt模塊的斷開過程進行了深度解析，分析出干擾igbt模塊斷開過程的核心等效線路和公式計算。在這個基礎上提了1個基于門極補償阻容網絡的igbt模塊串連均壓辦法，推導出增加門極阻容補償網絡后串連igbt模塊動態電壓不均衡度和斷開時間干擾的公式計算，并提了門極阻容網絡參數的選取原則。建立基于LumpedCharge辦法的igbt模塊半物理數值模型，對igbt模塊門極阻容補償網絡進行仿真驗證。給出了實際測試工況下的補償網絡參數，建立igbt模塊串連均壓實驗系統，進行多種電壓、電流工況下的實驗驗證。仿真和實驗表明：該辦法可以有效控制串連igbt模...

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MAX611雙向可控硅模塊驅動電路

2022-02-16

圖4-90為雙向可控硅模塊驅動線路，MAX611的VOUT(6)端輸出+5V為控制觸發線路供電，V+(8)端輸出由內部整流非穩定的+12V電壓，它供應電平轉變的MC14504集電極開路的緩沖門的運行電壓，生成12V的觸發信號控制雙向可控硅模塊VS的通/斷、MAX611可供應的最大總負載電流約100mA。以上就是傳承電子介紹的MAX611雙向可控硅驅動電路，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。...

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igbt功率模塊基本參數

2022-02-15

1)導通igbt模塊硅片的構造與功率MOSFET的構造非常相近，主要差別是JGBT增添了P+基片和1個N+緩沖層(NPT-非穿通-igbt模塊工藝沒增添這一部分)，當中1個MOSFET驅動2個雙極元器件（有兩個極性的元器件）。基片的使用在管體的P、和N+區間建立了1個J，結。當正柵偏壓使柵極下邊反演P基區時，1個N溝道便生成，并且出現1個電子流，并完全按照功率MOSFET的方法產生一股電流。倘若這一電子流產生的電壓在0.7V范圍內，則J1將處在正方向偏壓，一些空穴注入N-區內，并調整N-與N+間的電阻率，這些方法降低了功率導通的總耗損，并開啟了第2個電荷流。最后的結果是在半導體層次內臨時出現兩種...

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可控硅FCOG6100型觸發板電路框圖

2022-02-14

隨著我國大容量電源、電子產品的迅速發展，顯得對具備通用性、多功能的用作可控硅模塊器件相位控制觸發線路的開發及應用十分需要。 圖193FCOG6100型可控硅模塊觸發板線路框圖FCOG6100基本原理是以40腳CMOS大規模集成線路（ENERPRO專用芯片）為主導，借助鎖相環工藝（PLL）和多芯片合成工藝（MCM）,按照壓控振蕩器（VCO）鎖定的三相同步信號間的邏輯關系設計出的1種可控硅模塊觸發系統。0~5V的直流輸入電壓信號，可以控制輸出脈沖移相區域從5°~175°可調。任何的調節器或手動輸出的電壓都能夠很便捷地和它相接（包含計算機輸出的D/A信號），以控制大功率可控硅模塊的操縱。在調節器或計算機PID調節器...

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igbt模塊原理講述

2022-02-11

簡單而言，igbt模塊等同于1個由MOSFET驅動的厚基區PNP型晶體管，它的簡易化等效線路如下圖(b)所顯示，圖上的RN為PNP晶體管基區內的調制電阻。從該等效線路可以清晰地看出，igbt模塊是用晶體管和MOSFET構成的達林頓構造的復合元器件。為為圖上的晶體管為PNP型晶體管，MOSFET為N溝道場效應晶體管，所以這些構造的igbt模塊稱作N溝道IIGBT，其符號為N-igbt模塊。類似地還有P溝道igbt模塊，即P-igbt模塊。 圖（b） igbt模塊是—種場控元器件，它的開通和斷開由柵極和發射極間電壓UGE確定，當柵射電壓UCE為正且超過開啟電壓UCE（th）時，MOSFET內生...

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