可控硅模塊的檢測

2022-02-10

1、晶閘管管腳的辨別因為RAK，RKA，RGA，RAG，RKG均應(yīng)非常大，唯有RGK較小，所以用指針式萬用表R伊10贅擋或R伊1贅擋（避免電壓過高控制極反方向擊穿）測定管腳間的靜態(tài)電阻值便可給出判斷：假定可控硅模塊的某一邊為控制極，將其與黑電筆相連，之后用紅電筆各自接其余兩腳。當(dāng)測得兩管腳間電阻值較小時，假定正確，即黑電筆所接的是控制極，紅電筆所接的是陰極，剩余的一個是陽極。2、晶閘管的質(zhì)量檢測在正常，可控硅模塊的GK間是一個PN結(jié)，具備PN結(jié)特性，而GA和AK間存有反方向串連PN結(jié)，故其間電阻值均為無窮大。假如GK間的正反向電阻值都非常小，表明可控硅模塊內(nèi)部擊穿。假如GK間的正反向電阻值都...

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優(yōu)化高電壓igbt功率模塊方案，溝道和平面igbt功率模塊

2022-02-09

目前，市面上有不同的高級功率開關(guān)，例如金屬氧化物半導(dǎo)體FET(MOSFET)，雙極型三極管(BJT)，和絕綠柵雙極晶體管(igbt功率模塊)來轉(zhuǎn)變功率。但是，這一使用要實現(xiàn)最高的轉(zhuǎn)變效率和特性需求，便是選擇有效的功率晶體管。為了要一起把諧波和功率損耗降至最低，逆變器的高側(cè)igbt功率模塊借助了脈寬調(diào)制(PWM)，同時低側(cè)功率器件就用60Hz實行轉(zhuǎn)變。借助把PWM頻率定在20kHz或以上操作，高側(cè)igbt功率模塊有50/60Hz調(diào)制，輸出電感器L1和L2便可以保持真實有效的較少尺寸，供應(yīng)有效的諧波濾波。再者，逆變器的可聽聲也能夠降至最低，是因為開關(guān)頻率現(xiàn)已高過人的聽域。我們研究過選用不一樣igbt功率...

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加速器電源系統(tǒng)中快速可控硅的使用

2022-02-08

隨之電力電子技術(shù)的發(fā)展，起先出現(xiàn)了普通可控硅，但普通可控硅的開通時間和關(guān)斷時間都較長，尤其是當(dāng)負載為感性時,普通可控硅的開通時間甚至是要幾百μs，關(guān)斷時間也要幾百μs。這在需求重復(fù)頻率達200Hz的加速器電源上是沒辦法用的。 系統(tǒng)中快速可控硅的使用KK0選用通態(tài)電流為400A的快速可控硅（KK400）3只，各自用來A、B、C三相電路的整流管，KK1和KK2全是六只通態(tài)電流為1000A的快速可控硅（KK1000）并接用，KK3是十只通態(tài)電流為1000A的快速可控硅（KK1000）并接用。從圖1看得見，除KK0外，KK1、KK2、KK3的負載全是感性負載。在本系統(tǒng)中可控硅KK0的觸發(fā)信號由匹配相經(jīng)半波...

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優(yōu)化高電壓igbt模塊方案

2022-01-21

解決方案：高側(cè)晶體管借助超高速溝道igbt模塊igbt模塊供應(yīng)方形反方向偏壓工作區(qū)伴隨著綠色電力運動勢頭不變，涉及家電、照明和電動工具等使用，以至于其余工業(yè)用設(shè)施都是在最大限度地利用太陽能的的優(yōu)點。為了能高效地滿足這類產(chǎn)品的需求，電源設(shè)計師正借助最少數(shù)量的元器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽能源轉(zhuǎn)化成須要的交流或直流電壓。要為這類使用以高效率制造須要的交流輸出電壓和電流，太陽能逆變器就須要控制、驅(qū)動器和輸出功率器件的正確組成。要實現(xiàn)這一目的，在這兒展現(xiàn)了一個對于500W功率輸出完成優(yōu)化，而且有著120V及60Hz頻率的單相正弦波的直流到交流逆變器制定。在這個制定中，有個DC/DC電壓轉(zhuǎn)換...

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快速可控硅模塊在加速器電源系統(tǒng)中的原理

2022-01-20

隨之導(dǎo)通時間和關(guān)斷時間都在10μs下面的快速可控硅模塊的出現(xiàn)，尤其是大電流快速可控硅模塊的成功研制，促使這類電力電子器件可以進到大電流快速放電開關(guān)的行業(yè)，并漸漸顯現(xiàn)其優(yōu)越性。本文講述快速可控硅模塊KK400和KK1000在某加速器電源系統(tǒng)中的用。工作原理一整個電源系統(tǒng)輸出電流脈沖的重復(fù)頻率為200Hz，在系統(tǒng)開始工作前，先要借助普通變壓器T1為脈沖電容器C2預(yù)充電到400V，之后便可斷開普通變壓器T1完成重復(fù)頻率運行。圖1是系統(tǒng)電路原理圖，線路基本原理如下所示。 圖1 系統(tǒng)基本原理1）預(yù)充電環(huán)節(jié)三相交流電經(jīng)半波整流對電解電容C1經(jīng)限流電阻R1預(yù)充電到250V，之后改為由快速可控硅模塊KK0對電...

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