優化高電壓igbt模塊方案

2022-01-21



解決方案:

高側晶體管借助超高速溝道igbt模塊

igbt模塊供應方形反方向偏壓工作區

伴隨著綠色電力運動勢頭不變,涉及家電、照明和電動工具等使用,以至于其余工業用設施都是在最大限度地利用太陽能的的優點。為了能高效地滿足這類產品的需求,電源設計師正借助最少數量的元器件、高度可靠性和耐用性,以高效率把太陽能源轉化成須要的交流或直流電壓。

要為這類使用以高效率制造須要的交流輸出電壓和電流,太陽能逆變器就須要控制、驅動器和輸出功率器件的正確組成。要實現這一目的,在這兒展現了一個對于500W功率輸出完成優化,而且有著120V及60Hz頻率的單相正弦波的直流到交流逆變器制定。在這個制定中,有個DC/DC電壓轉換器連接到光伏電池板,為這一功率轉換器供應200V直流輸入。但是在這兒并沒有供應太陽能電池板的詳細信息,由于那層面并非我們探討的重點。

目前,市面上有不同的高級功率開關,例如金屬氧化物半導體FET(MOSFET),雙極型三極管(BJT),和絕綠柵雙極晶體管(igbt模塊)來轉變功率。但是,這一使用要實現最高的轉變效率和特性需求,便是選擇有效的功率晶體管。

數年來的調查和分析顯示,igbt模塊比其余功率晶體管有很多的優點,之中涉及更高電流能力,借助電壓并非電流來完成柵極控制,和可以與一個超快速恢復二極管協同封裝來加速關斷速度。另外,工藝及元器件構造的精細改進也使igbt模塊的開關特性獲得適當的改善。其余的優點還涉及更好的通態特性,和有著高度耐用性和寬安全工作區。在考慮到這類質量后,這類功率逆變器制定便會選擇高電壓igbt模塊,做為功率開關的必然之選。

由于這一設計所實行的逆變器拓撲應屬全橋,因此關于的太陽能逆變器選用了4個高電壓igbt模塊,如下圖1所顯示。在這個控制電路中,Q1和Q2晶體管被選定為高側igbt模塊,而Q3和Q4則為低側功率器件。為了要維持總功率損耗處在低水平,但功率轉變則有著高效率,設計師要在這個DC/AC逆變器解決方案有效使用低側和高側igbt模塊組成。
圖1選用4個igbt模塊的逆變器制定

以上就是傳承電子對優化高電壓igbt模塊方案的介紹,傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商,為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工,同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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