可控硅的工作原理是什么？

2022-02-24

在中頻爐中，整流側(cè)斷開時間選用KP-60微秒之內(nèi)，逆變側(cè)關短時間選用KK-30微秒之內(nèi)這也是KP管與KK管的主要差異?？煽毓枘KT在運行環(huán)節(jié)中，它的陽極A和陰極K與電源和負載相連，組成可控硅模塊的主線路，可控硅模塊的門極G和陰極K與控制可控硅模塊的裝置相連，組成可控硅模塊的控制線路。從可控硅模塊的內(nèi)部解析運行環(huán)節(jié)：可控硅模塊是四層三端元器件，它有J1、J2、J33個PN結圖1，可以把它中間的NP分為兩部分，組成1個PNP型三極管和1個NPN型三極管的復合管圖2當可控硅模塊承擔正方向陽極電壓時，為使可控硅模塊導銅，務必使承擔反方向電壓的PN結J2失去阻擋功能。圖2中每一個晶體管的集電極電...

了解詳情

igbt模塊并聯(lián)均流影響因素

2022-02-23

影響動態(tài)均流的原因1、IGBT模塊的開通門檻電壓VGEth的差別，VGEth越高，igbt模塊開通時刻越晚，不同模塊是會有差別；2、每一個并接的IGBT模塊的直流母線雜散電感L的差別；3、門極電壓Vge的差別；4、門極回路中的雜散電感量的差別；5、IGBT模塊所在溫度的差別；6、IGBT模塊所在的磁場的差別。 igbt模塊芯片溫度對均流的干擾igbt模塊芯片的溫度對動態(tài)均流性能和靜態(tài)均流性能干擾非常大：1、因為igbt模塊的Vcesat的正溫度系數(shù)特點，使溫度高的芯片的Vcesat更高，會分到較少的電流，所以建立了1個負反饋，使靜態(tài)均流趨向收斂；...

了解詳情

可控硅模塊的運行條件是什么?

2022-02-22

可控硅模塊的運行條件：1.可控硅模塊承擔反方向陽極電壓時，無論門極承擔和種電壓，可控硅模塊都處在關短模式。2.可控硅模塊承擔正方向陽極電壓時，僅在門極承擔正方向電壓的情況下可控硅模塊才導通。3.可控硅模塊在導通情況下，只需有一定的正方向陽極電壓，無論門極電壓怎樣，可控硅模塊維持導通，即可控硅模塊導通后，門極失去功能。4.可控硅模塊在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減少到將近于零時，可控硅模塊斷開。當可控硅模塊承擔正方向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)非常小，故可控硅模塊的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關處在正方向阻斷模式。當可控硅模塊在正方向...

了解詳情

igbt功率模塊干擾靜態(tài)均流的原因

2022-02-21

igbt模塊 是三端元器件，芯片內(nèi)部構造包括有柵極、集電極和發(fā)射極，等效線路如下圖2-1所顯示，在igbt模塊的柵極G和發(fā)射極E間加+15V標準電壓，則igbt模塊導通，倘若集電極有上拉電阻，集電極和發(fā)射極電壓可能會變成0.2V，即集電極與發(fā)射極間因為門極加進正電壓而成低阻模式促使igbt模塊飽和導通;若在igbt模塊的柵極G和發(fā)射極E間加進-15V則igbt模塊反方向斷開，加進負壓而不是OV的目標是使igbt模塊可快速而穩(wěn)定的關斷，對igbt模塊實際運用有重要的含義。 隨著igbt模塊在電氣行業(yè)的普遍使用，并接的方式使產(chǎn)品具備更高的功率密度、勻稱的基板熱分布、靈活的布局及較高的性價比等優(yōu)點。但在，靜態(tài)和動態(tài)均流問題...

了解詳情

雙臂可控硅大功率逆變器電路圖

2022-02-18

此例為單相逆變器，選用一個雙臂負極并接可控硅，功率大，負載能力強，如下圖186所顯示。當VTH1被觸發(fā)導通時，C上的電壓經(jīng)VTH2加至VTH1兩邊，使其受反方向電壓而斷開。因為VTH2導通，變壓器T的繞組FO中有電流經(jīng)過，變壓器2次側(cè)感應出下正上負的電壓。VTH1、VTH2逐個輪換導通，變壓器2次側(cè)就感應出交流電壓。更改雙臂負極并接可控硅的觸發(fā)信號的頻率，也就更改了逆變器輸出的交流電壓的頻率。以上就是傳承電子介紹的雙臂可控硅大功率逆變器電路圖，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領域的功率半導體制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導體的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務。主...

了解詳情