可控硅模塊(晶閘管）參數說明

2022-01-14

1.參數表中所列出的數據信息，ITSM、I2t、dv/dt、di/dt指的是元器件能夠滿足的最小值,Qr、VTM、VTO、rT指元器件可滿足(不超過)的最大值。

2.通態平均電流額定值ITAV(IFAV)ITAV(IFAV)指在雙面冷卻情況下，確保散熱器溫度55℃時，準許元器件經過的最大正弦半波電流平均值。ITAV(IFAV)相應元器件額定有效值IRMS=1.57ITAV。實際運行中，若無法確保散熱器溫度小于55℃或散熱器與元器件接觸熱阻遠高于規定值，則元器件應降額運行。

3.可控硅模塊通態電流上升率di/dt參數表中所給的為元器件通態電流上升率的臨界重復值。其相應不重復測試值為重復值的2倍以上，在運行過程中，必需確保元器件導通期無論何時的電流上升率都無法超出其重復值。

4.可控硅模塊運行頻率

可控硅模塊可運行的最大頻率由其運行時的電流脈沖寬度tp，關斷時間tq和從關斷后承擔正壓開始至其再一次開通的時間tV決定。fmax=1/(tq+tp+tV)。按照工作頻率選擇元器件時必需確保元器件從正方向電流過零至開始承擔正壓的時間間隔tH>tq，并留出一定的裕量。隨著工作頻率的上升，元器件正方向耗損Epf和反向恢復耗損Epr隨之上升，元器件通態電流須降額運行。

以上就是傳承電子介紹的可控硅模塊(可控硅）參數說明，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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