為何要對可控硅的保護措施

2022-01-12

可控硅元器件的常見弱點是承擔過電流和國電壓的能力很差，即使短時間的過流和過電壓，也將會造成可控硅的毀壞，因此一定要對它采用恰當的保護措施。 1.過電流保護可控硅出現過電流的常見因素是過載、短路和誤觸發。過電流保護有下列幾個：快速容斷器快速容斷器中的溶絲是銀質的，只需選擇恰當，在相同的過電流倍數下，它可以在可控硅毀壞前先溶斷，進而保護了可控硅。過電流繼電器當電流超出過電流繼電器的整定值時，過電流繼電器便會運作，斷開保護線路。但因為繼電器運作到斷開線路需要一定時間，因此只能夠用于可控硅的過載保護。過載截止保護依靠過電流的信號將可控硅的觸發信號后移，或使可控硅得導通角減少，或干脆停止觸發保護...

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淺談igbt模塊驅動

2022-01-11

1、對驅動功率的要求因為igbt模塊的開關過程須要損耗相應的電源功率，最小峰值電流可由下式算出：IGP=△Uge/（RG+Rg）；式中△Uge=+Uge+|Uge|；RG是igbt模塊內部電阻；Rg是柵極電阻。驅動電源的平均功率為：PAV=Cge△Uge2f,式中．f為開關頻率；Cge為柵極電容。2、柵極電阻為更改控制脈沖的前后沿陡度和避免 震蕩，減少igbt模塊集電極的電壓尖峰，應在igbt模塊柵極串上適合的電阻Rg。當Rg增大時，igbt模塊導通時間延長，耗損發熱加劇；Rg減少時，di/dt增高，有可能造成誤導通，使igbt模塊毀壞。應按照i...

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可控硅模塊投切電容器的原理（三）

2022-01-10

可控硅模塊投切電容器（TSC）主電路布線方式按照可控硅模塊閥和電容器的連接可劃分為三相控制的三角形接法、星形接法和其他組合接線方法。當中三角形與星形的組合接線方法既綜合了前兩種接線方法的優點，也可提高補償設備的運行質量，所以較為常用. 按照電容器電壓無法突變的特性，可控硅模塊投切電容器（TSC）系統投切當電網電壓和電容器殘壓差別過大的時，則非常容易造成沖擊電流。當沖擊電流與正常的穩定電流之比低于1.7倍時，可以認為沖擊電流對可控硅模塊和電容器的使用無影響。投切終止后，電容器上有電網峰值電壓，可控硅模塊在電網電壓和電容器直流電壓的雙重影響下，存有過零電壓，過零點觸發可控硅模塊是理想狀態，不能造成沖擊電流。可控硅...

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igbt功率模塊門極驅動需求

2022-01-07

絕緣柵雙極晶體管igbt模塊是第3代功率器件，安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場效應管MOSFET的特點于一體，具備易于驅動、峰值電流容量大、自關閉、開關頻率高(10-40kHz)的特點，是現在發展極為快速的新一代的電力電子器件。普遍使用于小體積、高效率的變頻電源、電機調速、UPS及逆變焊機之中。igbt模塊的驅動和保護是其用到中的核心技術。在此按照長時間用到igbt模塊的經驗并參閱相關文獻對igbt模塊的門極驅動問題做些歸納，希望對廣大igbt模塊用到人員有相應的幫助。 igbt模塊門極驅動需求1、柵極驅動電壓因igbt模塊柵極-發射極阻抗大，故可用到MOSFET驅動工藝來驅動，但igbt模塊...

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半導體開關元器件可控硅的特性及使用解析

2022-01-06

可控硅（SCR）是1種半導體開關元器件。早就在1956年，Moll等人就公布了這類開關元器件的理論基礎。即便低功率器件在當今開關區域已基本上銷聲匿跡，并被高壓雙極結型晶體管（BJT）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）及絕緣柵雙極型晶體管（igbt模塊）等所替代，但它們在兆瓦級開關元器件區域仍無可取代，例如2kA、1.2kV的SCR就被使用于機車驅動器中，或用作控制鋁材生產廠家中的電爐等。SCR是1種具備如下圖1a所顯示的晶體管等效線路的四層半導體元器件。 圖1：1個基本上的SCR類構造（a），得到一定值的門極電流和維系電流（b），和大幅度改善的耐瞬變電壓性能，進而有效的避免 陽極電壓陡增引發的意外...

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