可控硅模塊投切電容器的原理（三）

2022-01-10

可控硅模塊投切電容器（TSC）主電路布線方式按照可控硅模塊閥和電容器的連接可劃分為三相控制的三角形接法、星形接法和其他組合接線方法。當中三角形與星形的組合接線方法既綜合了前兩種接線方法的優(yōu)點，也可提高補償設備的運行質量，所以較為常用.
按照電容器電壓無法突變的特性，可控硅模塊投切電容器（TSC）系統(tǒng)投切當電網(wǎng)電壓和電容器殘壓差別過大的時，則非常容易造成沖擊電流。當沖擊電流與正常的穩(wěn)定電流之比低于1.7倍時，可以認為沖擊電流對可控硅模塊和電容器的使用無影響。投切終止后，電容器上有電網(wǎng)峰值電壓，可控硅模塊在電網(wǎng)電壓和電容器直流電壓的雙重影響下，存有過零電壓，過零點觸發(fā)可控硅模塊是理想狀態(tài)，不能造成沖擊電流。

可控硅模塊投切電容器（TSC）的檢測系統(tǒng)用作檢測電網(wǎng)與負載系統(tǒng)的相應變量，包含相位采樣區(qū)域、電壓與電流有效值測算區(qū)域、待補無功量與無功功率計算區(qū)域等。

現(xiàn)階段較為先進的工藝則是借助微機同步相位控制技術和自適應可控硅模塊觸發(fā)工藝完成檢測。當檢測到電容器兩邊電壓與電網(wǎng)電壓大小同樣，極值相同時，瞬時投放電容器，電流過零時可控硅模塊會自主斷開，不用對電容器提前充電，也不用另裝限流電抗器及專用的放電電阻，則可隨時實現(xiàn)無投切電容器。

以上就是傳承電子介紹的可控硅模塊投切電容器的原理，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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