為何要對可控硅的保護措施

2022-01-12

可控硅元器件的常見弱點是承擔過電流和國電壓的能力很差，即使短時間的過流和過電壓，也將會造成可控硅的毀壞，因此一定要對它采用恰當的保護措施。
1.過電流保護

可控硅出現過電流的常見因素是過載、短路和誤觸發。過電流保護有下列幾個：

快速容斷器快速容斷器中的溶絲是銀質的，只需選擇恰當，在相同的過電流倍數下，它可以在可控硅毀壞前先溶斷，進而保護了可控硅。

過電流繼電器當電流超出過電流繼電器的整定值時，過電流繼電器便會運作，斷開保護線路。但因為繼電器運作到斷開線路需要一定時間，因此只能夠用于可控硅的過載保護。

過載截止保護依靠過電流的信號將可控硅的觸發信號后移，或使可控硅得導通角減少，或干脆停止觸發保護可控硅。
2.過電壓保護

過電壓將會造成可控硅的擊穿，其常見因素是因為線路中電感元件的通斷、熔斷器熔斷或可控硅在導通與截止間的轉換。對過壓保護可采用兩種措施

阻容保護阻容保護是電阻和電容串接后，接在可控硅線路中的1種過電壓保護形式，其實質是依靠電容器兩端電壓無法突變和電容器的電場儲能和電阻使能耗元器件的性能，把過電壓的能量轉變成電場能量儲存在電場中，并依靠電阻把這部分能量消耗掉。

第二種是硒堆保護。

中頻電源的過電流和過電壓的保護

中頻電源設備的主線路采用可控硅半導體器件，這類元器件承擔過電壓，過電流的能力很差，而中頻電源的運作狀況較為復雜，負載變動劇烈，出現短路，開路，過電壓，過電流的幾率較高，一定要采用妥善保護措施，以保障設備安全運作。

可控硅中頻電源的過流過壓保護，1種是在恰當的位置裝上保護器件如在工頻電源進線側裝上RC吸收線路，用來抑制由外線路涌入中頻電源的雷擊過電壓和操作過電壓，在可控硅上串連快速熔短器用來保護過電流對可控硅的毀壞，另一種是檢測中頻電源的輸出電壓和輸入電流，當電壓或電流超出允許值時依靠整流觸發控制系統使整流橋運行于有源逆變模式，或封鎖整流輸出脈沖使整流橋輸出電壓為零。

以上就是傳承電子介紹的為何要對可控硅的保護措施，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

上一篇：淺談igbt模塊驅動

下一篇：igbt功率模塊典型的門極驅動線路講解

關注微信公眾號，了解更多資訊