新的igbt功率模塊內(nèi)部封裝工藝

2022-01-19

傳承電子發(fā)布新的igbt模塊內(nèi)部封裝工藝。該工藝可大幅度延長(zhǎng)IGBT模塊的使用期限。全新的.XT工藝可改進(jìn)IGBT模塊內(nèi)部全部相連的使用期限。借助這些全新的封裝工藝，傳承電子可達(dá)到具有更高功率循環(huán)的新興使用的要求，并為提升功率密度和實(shí)現(xiàn)更高工作結(jié)溫鋪平道路。

全新.XT工藝對(duì)于目前工藝，能夠讓IGBT模塊的使用期限延長(zhǎng)10倍，或使輸出功率提升25％。這類(lèi)新技術(shù)可支撐高至200°C的結(jié)溫。

功率循環(huán)會(huì)造成溫度轉(zhuǎn)變，并造成IGBT模塊內(nèi)部相連部位生成機(jī)械應(yīng)力。芯片各層的熱膨脹系數(shù)不一樣，會(huì)造成熱應(yīng)力，造成材料疲勞和毀壞。全新.XT工藝涵蓋IGBT模塊內(nèi)部相關(guān)功率循環(huán)功能的全部關(guān)鍵點(diǎn)：芯片正面的鍵合線(xiàn)、芯片背部的焊接（芯片至DCB）和DCB（直接鍵合銅）至基板的焊接。

這類(lèi)全新的相連工藝通過(guò)精心開(kāi)發(fā)，可達(dá)到傳承電子目前的多數(shù)封裝和全新的模塊封裝的要求。全部3種新相連工藝都是依托于標(biāo)準(zhǔn)工藝，非常適合用在批量生產(chǎn)。

供貨

選用全新.XT工藝的第一款產(chǎn)品是PrimePACK2模塊FF900R12IP4LD。該模塊選用半橋配備，具有900Arms的電流，依托于IGBT4芯片，最大工作結(jié)溫為150°C。

以上就是傳承電子對(duì)新的igbt功率模塊內(nèi)部封裝工藝的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來(lái)料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。

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