雙向可控硅模塊基本原理

2021-08-10

雙向可控硅能等效為2個單向可控硅反方向并接，如下圖4-47所顯示。雙向可控硅能控制雙向導通，所以除控制極G外的另2個電極不再分陽極、陰極，而稱之為主電極T1、T2。 當有觸發電壓加至控制極G時，雙向可控硅導通，井在觸發電壓消退后仍繼續導通狀態，電流既可從T1通過VS2流入T2，又可從T2通過VS1流入Tl。當電流低于可控硅的繼續電流時可控硅斷開。單向可控硅只會單向導通，而雙向可控硅能雙向導通?，F以圖1-13所顯示線路來闡述雙向可控硅的2種觸發導通方式。 以上就是傳承電子對雙向可控硅模塊基本原理的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的...

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igbt運行過程的解析

2021-08-10

igbt做為具備開關速度快，導通耗損低的電壓控制型開關元器件被普遍使用于高壓大容量變頻器和直流輸電等行業。如今igbt模塊的使用比較注重的是較低的導通壓降和低的開關損耗。做為開關元器件，分析它的運行和斷開過程自然是必不可少的，今日我們就來說說igbt模塊的運行過程。 一開始我們簡潔講解過igbt模塊的基本構造和原理，不同的行業對使用igbt模塊時，對其深入的程度也會不同，但是做為1個開關元器件，運行和斷開的過程，我覺得用得著認識一下。隨之載流子壽命控制等工藝的使用，igbt模塊斷開耗損取得了明顯改善;另外，大功率igbt模塊元器件內部續流二極管的反向恢復過程，很大地提升了igbt模塊的運行耗損，因此，igbt...

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雙向可控硅溫度控制系統的電路原理

2021-08-09

在雙向可控硅溫度控制線路中，RT、VT1、VT2和RP構成溫控觸發線路，雙向可控硅V為溫控開關，了解下雙向可控硅達到溫度控制系統的方式。雙向可控硅溫度控制線路，如下圖： 圖1，雙向可控硅溫度控制線路RT、VT1、VT2和RP構成溫控觸發線路，雙向可控硅V為溫控開關。LED3、LED4反方向連接，提供2.3V交流電壓。線路接通后，熱敏電阻RT兩邊交流電壓URT》0.6V，交流正半波時VT1導通，經二極管VD1觸發，V導通，交流負半波時VT2導通，經VD2負向觸發，V導通，使電阻絲RL流過電流加熱。溫度上升到某個數值，調節電位器RP，使URT《0.6V，三極管截止，V不被觸發導通，...

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選擇MOS管或是igbt功率模塊？

2021-08-09

在線路中，選擇MOS管當作功率開關管或是選擇IGBT管，這也是工程師常面臨的問題，倘若從系統的電壓、電流、變換功率等要素當作考慮，能夠歸納出下列幾點： 也可從下圖看得出二者使用的情況，陰影部分區域表明MOSFET和igbt模塊都能夠選擇，“？”表明目前工藝還難以做到的水準。 總體而言，MOSFET優勢是高頻特點好，能夠 工作頻率可以做到幾百kHz、上MHz，弊端是導通電阻大在高壓大電流場所功能損耗較大；而igbt模塊在低頻及較大功率場所下表現優越，其導通電阻小，耐壓高。MOSFET運用于開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等高頻電源行業；igbt模塊集中運用于焊機、逆變器...

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可控硅模塊的保護措施

2021-08-06

可控硅元器件的關鍵缺陷是承載過電流和國電壓的能力很差，即便短時間的過流和過電壓，也能夠造成可控硅的毀壞，因此需要對它使用恰當的保障措施。 1.過電流保護可控硅發生過電流的關鍵因素是過載、短路和誤觸發。過電流保護有下列幾種：快速容斷器快速容斷器中的溶絲是銀質的，只需選擇恰當，在相同的過電流倍數下，它能夠在可控硅毀壞前先溶斷，進而保護了可控硅。過電流繼電器當電流超出過電流繼電器的整定值時，過電流繼電器便會運作，斷開保護線路。但因為繼電器運作到斷開線路需要一定時間，因此只能作為可控硅的過載保護。過載截止保護通過過電流的信號將可控硅的觸發信號后挪，或使可控硅得導通角降低，或索性終止觸發保護可控...

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