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igbt運行過程的解析
2021-08-10
igbt做為具備開關(guān)速度快,導(dǎo)通耗損低的電壓控制型開關(guān)元器件被普遍使用于高壓大容量變頻器和直流輸電等行業(yè)。如今igbt模塊的使用比較注重的是較低的導(dǎo)通壓降和低的開關(guān)損耗。做為開關(guān)元器件,分析它的運行和斷開過程自然是必不可少的,今日我們就來說說igbt模塊的運行過程。
一開始我們簡潔講解過igbt模塊的基本構(gòu)造和原理,不同的行業(yè)對使用igbt模塊時,對其深入的程度也會不同,但是做為1個開關(guān)元器件,運行和斷開的過程,我覺得用得著認識一下。
隨之載流子壽命控制等工藝的使用,igbt模塊斷開耗損取得了明顯改善;另外,大功率igbt模塊元器件內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復(fù)過程,很大地提升了igbt模塊的運行耗損,因此,igbt模塊的運行過程越來越引起重視。
解析igbt模塊在不同工作環(huán)境條件下的開關(guān)波形,對元器件華北電力大學(xué)學(xué)報2017的運行耗損、也會承受的電氣應(yīng)力、電磁干擾噪聲
等進行評估,為驅(qū)動線路進行優(yōu)化提供指導(dǎo),進而提升igbt模塊的運行特性。因為實際運用中,我們遇到的大部分負載都是感性負載,因此今日我們就依托于感性負載的狀況下講述igbt模塊的運行過程,從igbt模塊阻斷情況下的空間電荷分布開始解析,分析了igbt模塊輸入電容隨柵極電壓變化的關(guān)系,表明了柵極電壓密勒平臺形成的機理,解析了驅(qū)動電阻對柵極電壓波形的影響。
分析了igbt模塊集電極電流的上升特點;解析了igbt模塊集射極電壓的下降特點,表明了回路雜散電感對集射極電壓的影響規(guī)律。
以上就是傳承電子igbt運行過程的解析介紹,傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商,為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工,同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。

隨之載流子壽命控制等工藝的使用,igbt模塊斷開耗損取得了明顯改善;另外,大功率igbt模塊元器件內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復(fù)過程,很大地提升了igbt模塊的運行耗損,因此,igbt模塊的運行過程越來越引起重視。
解析igbt模塊在不同工作環(huán)境條件下的開關(guān)波形,對元器件華北電力大學(xué)學(xué)報2017的運行耗損、也會承受的電氣應(yīng)力、電磁干擾噪聲
等進行評估,為驅(qū)動線路進行優(yōu)化提供指導(dǎo),進而提升igbt模塊的運行特性。因為實際運用中,我們遇到的大部分負載都是感性負載,因此今日我們就依托于感性負載的狀況下講述igbt模塊的運行過程,從igbt模塊阻斷情況下的空間電荷分布開始解析,分析了igbt模塊輸入電容隨柵極電壓變化的關(guān)系,表明了柵極電壓密勒平臺形成的機理,解析了驅(qū)動電阻對柵極電壓波形的影響。
分析了igbt模塊集電極電流的上升特點;解析了igbt模塊集射極電壓的下降特點,表明了回路雜散電感對集射極電壓的影響規(guī)律。
以上就是傳承電子igbt運行過程的解析介紹,傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商,為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工,同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。
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