igbt功率模塊開通延時過程中驅動線路等效線路

2021-08-13

因為在igbt模塊集電極電流提升前，igbt模塊依然處在斷開情況，柵極電壓的變化量相較于igbt模塊的阻斷電壓就可以忽略。所以，柵極電壓的提升過程關于柵極—集電極電容(Cgc)和電荷量的影響力就可以忽略，所以開通延時階段的充電過程只針對電容C1、C2和Cgp。所以，結合驅動線路的等效線路，就可以獲得以上充電過程中驅動線路的等效線路如下圖所顯示： 當中Vg為柵極驅動板輸出電壓，Ｒg為驅動電阻，Cin為驅動板輸出端口電容，Ｒs和Ls分別為驅動線路寄生電阻和寄生電感。柵極電壓逐漸提升一定時間后抵達閾值電壓，集電極電流逐漸提升，這一過程也稱作開通延遲，一般我們表達為td(on)。鑒于以上解析得知，柵極電壓在抵達閾值電...

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可控硅模塊的運行過程

2021-08-12

可控硅是四層三端元器件，它有J1、J2、J33個PN結圖1，能夠把它之間的NP分為兩部分，組成1個PNP型三極管和1個NPN型三極管的復合管圖2當可控硅承擔正方向陽極電壓時，為使可控硅導通，需要使承擔反方向電壓的PN結J2丟失阻擋功效。圖2中每一個晶體管的集電極電流同時便是另1個晶體管的基極電流。所以，2個相互復合的晶體管線路，當有充足的門極電流Ig流進時，便會生成強烈的正反饋，導致兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流對應為Ic1和Ic2；發射極電流對應為Ia和Ik；電流放大系數對應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設經過J2結的反相漏電電流為Ic0，...

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igbt開通延遲過程

2021-08-12

igbt模塊柵極電容的組成 Ciss=CGE+CGC輸入電容Coss=CGC+CEC輸出電容Crss=CGC米勒電容下邊是較為詳細的電容分布：關于igbt模塊元器件，柵極電容包含4個層面電容，如圖所顯示：(1)柵極—發射極金屬電容C1(2)柵極—N+源極氧化層電容C2(3)柵極—P基區電容Cgp，Cgp由C3，C5組成;(4)柵極—集電極電容Cgc，Cgc由C4，C6組成。當中，柵極—發射極電容(也稱作輸入電容)為Cge=C1+C2+Cgp，柵極—集電極電容(也稱作反方向傳輸電容或密勒電容)為Cgc。除此之外，Cgp隨柵極電壓的變動而變動，Cgc隨igb...

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可控硅的類別

2021-08-11

可控硅按其斷開、接通及控制形式可分成普通可控硅（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC）、逆導可控硅（RCT）、門極斷開可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅（TT國外，TTS國內）和光控可控硅（LTT）等多種。 可控硅按其引腳和極性可分成二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。可控硅按其封裝形式可分成金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅3種類型。其中，金屬封裝可控硅又分成螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分成帶散熱片型和不帶散熱片型2種。可控硅按電流容量可分成大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅3種。一般 ，大功率可控硅多選用陶瓷封裝，而中、小功率可控硅則多選用塑封或金屬封裝。可控硅按其斷開速度...

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igbt功率模塊的基本構造

2021-08-11

前邊我們也簡潔的講過了igbt模塊的基本構造，igbt模塊是由雙極型功率晶體管(高耐壓、大容量)和MOSFET(高開關速度)組成，因此igbt模塊具備了2種元器件的特性，高耐壓、大電流、高開關速度。 上圖是igbt模塊芯片的橫向截面圖，圖上的P+和N+表明集電區和源區為重摻雜，N-表明基區摻雜濃度較低。igbt模塊和MOSFET一樣，在門極上外加正方向電壓就能導通，但因為通過在漏極上追加了P+層，使得在導通情況下，P+層向N基極注入空穴，進而引發了傳導性能的轉變，因此，igbt模塊和MOSFET相比，可以取得極低的通態電阻，也就是igbt模塊擁有較低的通態壓降。由圖1(a)得知，單個igbt模塊...

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