igbt過壓過熱損壞修復方案

2021-08-20

1、過電壓毀壞處理避免過電壓毀壞方式有提升主線路的工藝構造，通過減小大電流回路的路徑來減少線路寄生電感；適度提升igbt驅動電阻值RG使開關速度減慢（但開關損耗也提升了）；設計緩沖線路，對尖峰電壓完成抑制。用作緩沖線路中的二極管需要是快恢復二極管，電容需要是高頻、損耗小、頻率特性好的薄膜電容。如此才能取得好的吸收效果。igbt的VGE的保證值為±20V，加在igbt上的VGE若超過保證值，將會造成 igbt毀壞，所以在柵極—發射極間的電壓不可超過保證值，另外，在柵極—發射極問開路時，若在集電極—發射極間添加電壓，隨著集電極電位的變化，因為有漏電流流過，柵極電位上升，集電極則有電流流過。倘若這時在集電極—發射集間處在高...

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雙向可控硅調光控制線路原理圖

2021-08-19

交流調壓是把不變的交流電壓轉換成有效值可調式的交流電壓，用1只雙向可控硅替代2只反并接可控硅，可使線路大大簡化。被普遍使用于工業加熱、燈光控制、感應電動機的調速和電解電鍍的交流側調壓等場所。用雙向可控硅構成的調光控制回路如下圖1所顯示，調整RP可轉變燈泡E的亮度的大小。 以上就是傳承電子對雙向可控硅調光控制線路原理圖的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。...

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igbt功率模塊過電流毀壞的解決對策

2021-08-19

為了避免igbt模塊出現鎖定效應而毀壞，在線路設計中應確保igbt模塊的最大工作電流應不超過igbt模塊的IDM值，同時留意可適度提升驅動電阻值RG的方式延長關閉時間，減少igbt模塊的di/dt。驅動電壓的大小也會干擾igbt模塊的鎖定效應，驅動電壓低，承擔過電流時間長，igbt模塊需要加負偏壓，igbt模塊廠家通常建議加－5V左右的反偏電壓。在有負偏壓情形下，驅動正電壓在10~15V間，igbt模塊發射極的電流可在5~10μs內超出額定電流的4~10倍，因此 igbt模塊需要設有驅動負偏壓。鑒于負載沖擊特性各不相同，且供電的設備可能出現電源短路故障，因此 在設計中采取限流措施對igbt模塊的電流限制也是需要的，可考慮選用...

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可控硅模塊的動態性能

2021-08-18

與二極管類似于，導通、斷開過程形成動態損耗可控硅模塊的導通和斷開過程波形 1)導通過程延遲時間td：門極電流階躍時刻開始，到陽極電流升高到穩態值的10%的時間上升時間tr：陽極電流從10%升高到穩態值的90%需要的時間導通時間tgt：上述二者之和，tgt=td+tr 普通可控硅模塊延遲時間0.5~1.5?s，上升時間為0.5~3s2)斷開過程反方向阻斷恢復時間trr：正方向電流降至零到反向恢復電流衰減至近于零的時間。正方向阻斷恢復時間tgr：可控硅模塊要恢復其對正方向電壓的阻斷能力，還需要一段時間。在正方向阻斷恢復時間內，倘若重新對可控硅模塊添加正方向電壓，可控硅模塊會重新正...

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igbt導通波型

2021-08-18

igbt的導通波型以下： 分成5各階段：①導通延遲階段在這個階段中，驅動線路給輸入電容充電，柵極電壓逐漸提高，當柵極電壓抵達閾值電壓之后，igbt導通，集電極電流開始提高。必須指明的是，階段1一樣虛線圓圈內的柵極電壓有個斜率增加的環節，相對于柵極電壓在提升的環節中，柵極輸入電容變化的環節。②電流提升階段在這個階段中，MOSFET溝道導通，因為電流上漲速度特別快，短期內柵極電壓類似線性增長。當集電極電流IC低于負載電流時，IC可以用開口向上的二次函數擬合，這時的集射極電壓伴隨著集電極電流的提升而線性降低。③集射極電壓快速降低過程當igbt集電極電流IC高于峰值電流IL+I...

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