可控硅的靜態伏安性能

2021-08-17

第I象限的是正方向性能有阻斷模式和導通模式之分。在正方向阻斷模式時，可控硅的伏安性能是1組隨門極電流的提高而不同的曲線簇。當IG足夠大時，可控硅的正方向轉折電壓很小，能夠看作與一般二極管相同.第III象限的是反方向性能可控硅的反方向性能與一般二極管的反方向性能相似。 IG=0時，元器件兩邊添加正方向電壓，為正方向阻斷模式，僅有很小的正方向漏電流流過，正方向電壓超出臨界極限即正方向轉折電壓Ubo，則漏電流急劇增加，元器件導通隨之門極電流幅值的增加，正方向轉折電壓降低導通后的可控硅性能和二極管的正方向性能相仿可控硅本身的壓降很小，在1V左右導通期間，倘若門極電流為零，且陽極電流降到接近于零的某一數值IH之...

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igbt功率模塊的導通環節集射極電壓解析

2021-08-17

集射極電壓降低環節解析 理想情況下，不考慮線路中的雜散電感和電阻，當續流二極管的電流做到最大的反方向電流時，二極管開始承載反方向電壓，這時igbt模塊兩邊的電壓急速下降。igbt模塊集射極電壓降低包含兩個階段，第1個階段類似MOSFET導通原理，耗盡區快速消退，電壓急速下降，如下圖一樣的UCE_MOSFET階段;第2個階段是過剩載流子在基區內擴散，電導調制區增大，中性基區壓降減少環節，如下圖一樣的UCE_BJT階段。因為載流子擴散的速率遠遠慢于耗盡區消退的速率，所以這一階段的電壓衰減十分緩慢。 雜散電感對電流提升階段Vce的影響感性負載雙脈沖測試線路如下圖： 負載電感夠大，在導...

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光觸發可控硅模塊（LTT）

2021-08-16

通常的可控硅在柵極上另加電氣信號后進到ON模式，而如果是LTT得話，則在柵極上照射光仟送過來的光信號，進到ON模式。能夠從電力上將主電力系統和驅系統分離開來，因此能令設備的構造更加間單。 主要用途．直流輸電用電力變換設備．周圍端數變換設備、無效電力補償設備以上就是傳承電子對光觸發可控硅模塊（LTT）的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。...

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igbt啟動過程集電極電流解析

2021-08-16

啟動電流當柵極電壓超過閾值電壓時，集電極電流以非常快的速度升高，所以在集電極電流由零升高到負載電流這個短時間內，柵極電壓能夠 近似看做是線性增長，進而igbt模塊集電極電流在抵達負載電流前，能夠看做igbt模塊集電極電流曲線為二次函數曲線，即Ic=at2當中a由芯片參數和功率電路參數、驅動電路參數一起確定。 二極管反向恢復過程igbt模塊集電極電流過沖與續流二極管的反向恢復過程相對應。igbt模塊集電極電流不斷增大的過程中，續流二極管中的少子濃度漸漸減低，反偏電流密度梯度也漸漸減少。當續流二極管到達反偏電流的最大值，二極管中耗盡區邊沿少子濃度到達熱平衡濃度。之后，二極管進到反向恢復時期...

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什么叫高電壓、大電流可控硅

2021-08-13

做為數千V、數百A的電力控制用元器件，分為GTO（門極斷開可控硅）和LTT（光觸發可控硅）門極斷開可控硅（GTO）GTO構造和表通常的可控硅相似，和通常的可控硅同樣在柵極和陰極間另加正方向電壓得話，便會進到ON模式。另外，在柵極上另加反方向電壓主，讓陽極電流被柵極側吸收得話，就能進到OFF模式的自已消弧型可控硅。主要用途1、鐵路電車驅動設備2、工業用馬達驅動設備 GTO的構造、圖形記號以上就是傳承電子對什么叫高電壓、大電流可控硅的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來...

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