MOS管和igbt的結構特點

2021-08-05

在電子線路中，MOS管和 IGBT 管會時常出現，它們都能夠當做開關元件來用，MOS管和IGBT管在外型及特征參數也有點類似，那為何有一些線路用MOS管？而有一些線路用IGBT管？MOS管和igbt模塊的結構特點MOS管和IGBT管的內部構造如下圖所顯示： igbt模塊是利用在MOSFET的漏極上追加層而組成的。igbt模塊的理想等效線路如下圖所顯示，igbt模塊實際便是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存有導通電阻高的弊端，但igbt模塊擺脫了這個弊端，在高壓時igbt模塊仍有著較低的導通電阻。 此外，類似功率容量的igbt模塊和MOSFET，igbt模塊的速度也...

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可控硅歸類詳細說明

2021-08-04

晶閘管是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，谷稱可控硅，它是1種功率大的開關型半導體元器件，在線路中用文字符號為“V”、“VT”表達（舊標準中用字母“SCR”表達）。可控硅具備硅整流器件的性能，能在高電壓、大電流情況下運行，且其運行過程還可以控制、被普遍使用于可控整流、交流調壓、無觸點開關、逆變及變頻等電子線路中。可控硅有多種分類方法。（一）按斷開、導通及控制形式歸類可控硅按其斷開、導通及控制形式可分成普通可控硅、雙向晶閘管、逆導可控硅、門極斷開可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二）按引腳和極性歸類可控硅按其引腳和極性可分成二極可控硅、三極可控硅和四極...

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何為IGBT功率模塊？

2021-08-03

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管構成的復合型半導體元器件。IGBT當做新型電子半導體元器件，有著輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制回路簡易，耐高壓，承載電流大等特征，在各類電子線路中取得極普遍的使用。 IGBT的電路符號迄今尚未統一，畫電路原理圖時通常是借用三極管、MOS管的符號，這時可以從電路原理圖上標記的型號來分辨是IGBT或是MOS管。與此同時還需要留意IGBT有沒有體二極管，圖上沒有標明并不代表肯定沒有，除非是官方資料有特別說明，不然這一二極管都是存在的。 igbt功率模塊里面的體二極管并不是寄...

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單向可控硅模塊的構造與符號

2021-08-02

晶體閘流管又稱可控硅，簡稱可控硅。是在晶體管基礎上發展出來的1種大功率半導體元器件。它的出現使半導體元器件由弱電行業拓展到強電行業。可控硅也像半導體二極管那般有著單向導電性，但它的導通時間是可以控制的，一般用作整流、逆變、調壓及開關等層面。可控硅外型如下圖7-1-1所顯示，有小型塑封型（小功率）、平面型（中功率）和螺栓型（中、大功率）幾類。單向可控硅的內部構造如下圖7-1-2（a）所顯示，它是由PNPN四層半導體材料構成的三端半導體元器件，3個引出端分另為陽極A、陰極K和門極G。 單向可控硅的陽極與陰極中間有著單向導電的性能，其內部能夠等效為由1只PNP三極管和1只NPN三極管構成的復合管，如下圖7-1-2（...

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何為MOS管？與igbt的區別

2021-07-30

場效應管主要有2種類別，分別是結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）。 MOS管即 MOSFET，中文全名是金屬- 氧化物半導體場效應晶體管，因為這類場效應管的柵極被絕緣層隔離，因此又叫絕緣柵場效應管。MOSFET又可劃分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型4大類。 （MOSFET類型與電路符號）有的MOSFET內部會有一個二極管，它是體二極管，或是叫寄生二極管、續流二極管。 對于寄生二極管的功能，有2種詮釋：1、MOSFET的寄生二極管，功能是避免VDD過電壓的狀況下，損壞MOS管，因為在過電壓對MOS管引起毀壞前，二極管先反方向擊穿，將大電...

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