單向可控硅的外型、結構和電路符號

2021-07-29

晶閘管又被稱為硅可控整流元器件，通稱可控硅。為控制強電的半導體器材，即是控制開關元件；普遍使用于無觸點開關線路及可控整流設施中。可控硅有單向可控硅和雙向可控硅兩種類型。 單向可控硅的外型、結構和電路符號如圖所示。可控硅由P1、N1、P2、N2四層半導體構成，從P1引出來的是陽極A，從N2引出來的是陰極K，控制極G從P2引出來，顯著，有3個PN結，分別用J1、J2、J3標注。以上就是傳承電子對單向可控硅的外型、結構和電路符號的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝...

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igbt功率模塊高壓變頻器的連接圖

2021-07-29

由功率單元組成高壓變頻器的另一種方法是選用高壓igbt模塊元器件，以減少串連功率單元。例如，用3.3kVigbt模塊元器件，由2個功率單元串連的PWM電壓源變頻器，可輸出4160V中壓；若欲6000V高壓輸出，則只需用三單元串連。功率單元和元器件數目減少，耗損和故障率也減少。圖4為由兩功率單元串連的變頻器電氣連接圖。因為輸出電壓電平級數減少，為獲得優良性能，這時變頻器需帶有輸出濾波器。以上變頻器的每一個功率單元都從1個由微處理器組成的中央控制器接受命令，操控和通訊信號由光導纖維傳輸，能保持5kV的絕緣并確保優良的抗干擾性和可靠性。此外，因為選用模塊化構造，全部功率單元完全一致，能夠交換，每一個功率單元...

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可控硅模塊以及其類別

2021-07-28

晶閘管是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，谷稱可控硅，它是一類大功率開關型半導體元器件，在線路中用文字符號為“V”、“VT”表述（舊標準中用字母“SCR”表述）。可控硅具備硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流情況下運行，且其運行過程能夠控制、被普遍使用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子線路中。 可控硅有各種分類方法。（一）按斷開、導通及控制形式類別可控硅按其斷開、導通及控制形式可分成普通可控硅、雙向晶閘管、逆導可控硅、門極斷開可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等各種。（二）按引腳和極性類別可控硅按其引腳和極性可分成二極可控硅、三極可控硅和四...

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igbt高壓變頻器解析

2021-07-28

功率單元模塊串連而成，并不是用傳統的元器件串連來完成高壓輸出，因此 不存在元器件均壓問題。每一個功率單元模塊承擔所有的輸出電流，但僅承擔1/5的輸出相電壓和1/15的輸出功率。變頻器選用多重化PWM工藝，圖1變頻器由5對（每對含正反相信號）先后相移12°的三角載波對基波電壓完成調制。對A相基波調制得到的5個信號，各自控制A1～A55個功率單元模塊，經疊加就可以得圖3所顯示具備11級階梯的相電壓波型。它等同于30脈波變頻，理論上29次之下的諧波都能夠抵消，總的電壓和電流失真可各自低至1.2％和0.8％，堪稱“完美無諧波”（Harmony）變頻器。它的輸入功率因數可達0.95以上，無須設置輸入濾波器和功率因...

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可控硅使用的常見注意事項

2021-07-27

選擇可控硅模塊的額定電壓時，應參照實際運行情況下的峰值電壓的大小，并留有相應的余量。 1、選擇可控硅模塊的額定電流時，除開考慮到經過元器件的平均電流外，還應留意正常運行時導通角的大小、散熱通風情況等因素。在工作中還應留意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。2、使用可控硅模塊之前，應該用數字萬用表檢測可控硅模塊是不是良好。發現有短路故障或斷路情況時，應立即更換。3、嚴禁用兆歐表（即搖表）檢測元器件的絕緣情況。4、電流為5A之上的可控硅模塊得裝散熱器，且保障所規定的冷卻情況。為保障散熱器與可控硅模塊管心接觸良好，兩者之間要涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。5、按規定對主電路中的可控...

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