igbt功率模塊的作用

2021-12-21

igbt模塊是1種功率晶體管，使用這種晶體設計之UPS可有效的提高產品效能，使電源產品質量好、效率高、熱耗損少、噪音低、體型小與產品使用期長等許多優點。現介紹igbt模塊選型的4個基本標準。1、安全工作區在安全層面，通常指的便是電的特性，除開常用的變壓電流之外，再有RBSOA（反方向偏置安全工作區）和短路時的保護。這個是開通和斷開時的波形圖，這個是有關的開通和斷開時的定義。我們做設計時結溫的標準，如長時間運行務必確保溫度在安全結溫內，做到這一確保的前提條件是要把這個模塊有關的應用參數出示出來。如此結合這一參數之后，結合選擇的igbt模塊的芯片，再有封裝和電流，來測算產品的功能損耗和結溫，是不是符合安全結...

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高壓可控硅的觸發線路電位

2021-12-20

在高壓條件下，可控硅串接閥的絕緣問題是十分重要的1個環節，倘若絕緣問題處置不佳，那可能嚴重影響設施運作的安全性與可靠性。觸發線路的高電位部位和低電位部位間的隔離主要是靠觸發CT和借助CT的10kV絕緣的電流線，想要減低對觸發CT絕緣等級的需求，減少在高壓條件下串接閥主電路對脈沖電路的干擾，與此同時減低對脈沖電路絕緣等級的需求，將變壓器T12次側的地直接接在可控硅串接閥的第4和第5個可控硅間，即串接閥主電路的中點電位，將脈沖電路的電位拉高至1/2高電位，如下圖1中標記為中點電位點的地方。進而使整個串接閥構造的電位全部提升，如此，絕緣的需求就加至隔離供電變壓器T1的1次側和2次側間，而這邊選擇的變壓器T1的1次側與2...

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PT-IGBT與NPT-IGBT的差異

2021-12-17

1、PT-IGBT圖1其實是PT型1GBT芯片的內部結構，圖2（c）是其導電的工作原理。所言的PT（PunchThrough，穿通型），指的是電場穿透了N-漂移區（圖1中③），電子與空穴的重要匯合點在N1區［圖1（c）］。NPT在實驗室內完成的時間段（1982年）要早于PT（1985），但工藝上的因素促使PT規模商用化的時間段比NPT早，因此第1代igbt模塊商品以PT型為主。 PT-IGBT很切實解決了igbt模塊的閂鎖問題，但要增加外延層厚度，工藝復雜，成本也高。igbt模塊芯片中的外延層與電壓規格是直接關聯的，電壓規格越高、外延層越厚，IZOOV、2000V的PT-igbt模塊外延...

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高壓可控硅模塊串連閥觸發線路構成與運行原理

2021-12-16

文中研究的內容便是1種在實際項目中運用的可控硅模塊閥組的觸發線路設計。觸發脈沖電流的上升沿時間越短、峰值越大，可控硅模塊導通擴散的速率就越快，當全部可控硅模塊導通時間都大大縮短后，可控硅模塊中導通的對應一致性就大大提高，進而降低了串連閥中少數可控硅模塊長時間承擔過高電壓而毀壞的幾率。 觸發線路構成與運行原理觸發線路內部結構如下圖1所顯示，包括下列幾個部份。1)單相隔離配電變壓器T1變比為AC220/AC220、1次側與2次側間絕緣電壓35kV，為脈沖電路供應生成脈沖電流所需要的能量。2)充電限流電阻R3限制電容C1的充電電流。3)防反流二極管D0避免電容C1向變壓器T1倒送能量...

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igbt動態指標的基本信息介紹

2021-12-15

igbt動態指標是分析評估igbt開關特性如開關頻率、開關損耗、死區時間、驅動功率等的重要憑證，文中主要探討下列動態指標：模塊內部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容指標、柵極充電電荷、IGBT開關時間指標，結合igbt靜態指標可全方位分析評估IGBT芯片的特性。 RGint：模塊內部柵極電阻：為了能完成模塊內部芯片均流，模塊內部集成有柵極電阻。該電阻值應當被當作總的柵極電阻的一部分來測算IGBT驅動器的峰值電流實力。RGext：外部柵極電阻：外部柵極電阻由客戶設定，電阻值會導致IGBT的開關特性。圖上中開關檢測條件中的柵極電阻為Rgext的最小推薦值。客戶可...

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