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文中研究的內容便是1種在實際項目中運用的可控硅模塊閥組的觸發線路設計。

觸發脈沖電流的上升沿時間越短、峰值越大，可控硅模塊導通擴散的速率就越快，當全部可控硅模塊導通時間都大大縮短后，可控硅模塊中導通的對應一致性就大大提高，進而降低了串連閥中少數可控硅模塊長時間承擔過高電壓而毀壞的幾率。
觸發線路構成與運行原理

觸發線路內部結構如下圖1所顯示，包括下列幾個部份。

1)單相隔離配電變壓器T1變比為AC220/AC220、1次側與2次側間絕緣電壓35kV，為脈沖電路供應生成脈沖電流所需要的能量。

2)充電限流電阻R3限制電容C1的充電電流。

3)防反流二極管D0避免電容C1向變壓器T1倒送能量。

4)儲能脈沖電容器C1儲存生成脈沖所需要的能量，最大充電電壓Uc可達310V。

5)阻容電路部份的R2和C2起調整脈沖波型形狀的作用。

6)脈沖CT變比20/1，借助脈沖CT生成最終觸發脈沖。

7)放電電阻器R1限制放電電流。

8)非線性電阻器R4其轉折電壓為400V，用作保護MOSFET。

9)脈沖信號板用作接收控制器借助光纖發來的脈沖光信號，通過光電轉換，驅動MOSFET(IRFP460)導通與斷開，使電容C1受控制器的控制進行放電。脈沖信號板從變壓器T12次側取能，借助單相變壓器AC220/AC20，通過整流濾波，由7805和7812輸出穩定的+5V和+12V電源，為脈沖信號板供應配電電源。

10)BOD模塊用作保護可控硅模塊在承擔過電壓時觸發導通，避免可控硅模塊被高壓擊穿。

觸發線路運行原理：隔離變壓器T11次側接AC220V電源，2次側借助電阻器R3和二極管D0向電容C1充電，當C1上的電壓做到峰值AC220V，即310V左右時，二極管反方向截止，電容C1上維持310V左右的電壓。當控制器輸出觸發脈沖信號，信號通過光纖傳導至脈沖信號板，經光電轉換后驅動MOSFET導通，電容C1開始借助電阻器R1放電，如此便有瞬間大電流借助8個接在可控硅模塊門極的CT，借助CT并且生成8路可控硅模塊觸發電流信號。

以上就是傳承電子介紹的高壓可控硅模塊串連閥觸發線路構成與運行原理，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。