国产私拍视频国产特级WW,国产1区2区国产成人ab片,在线国产精品系列,卡通动漫页亚洲精品

1、PT-IGBT

圖1其實是PT型1GBT芯片的內部結構，圖2（c）是其導電的工作原理。所言的PT（PunchThrough，穿通型），指的是電場穿透了N-漂移區(qū)（圖1中③），電子與空穴的重要匯合點在N1區(qū)［圖1（c）］。

NPT在實驗室內完成的時間段（1982年）要早于PT（1985），但工藝上的因素促使PT規(guī)模商用化的時間段比NPT早，因此第1代igbt模塊商品以PT型為主。

PT-IGBT很切實解決了igbt模塊的閂鎖問題，但要增加外延層厚度，工藝復雜，成本也高。igbt模塊芯片中的外延層與電壓規(guī)格是直接關聯的，電壓規(guī)格越高、外延層越厚，IZOOV、2000V的PT-igbt模塊外延層厚度各自實現了100μm和200μm。

2、NPT-IGBT

所言的NPT（Non-PunchThrough，非穿通），指的是電場沒穿透N-漂移區(qū)，構如下圖3所顯示。NPT的基礎工藝的工作原理是撤消N十緩沖區(qū)（圖1中的④），直接在集電區(qū)（圖1中的⑤）注入空間電荷形成高阻區(qū)，電子與空穴的重要匯合點換作了P十集電區(qū)。這項工藝又被稱作離子注入法、離子摻雜工藝。
3、PT-igbt模塊與NPT-igbt模塊生產工藝與技術性的差異
PT與NPT生產工藝的差異如下所示：

PT-igbt模塊芯片的制造從集電區(qū)（P+背發(fā)射區(qū)）開始，先在單晶硅的反面形成低摻雜的P+發(fā)射區(qū)，之后用外延工藝在單晶硅的正面逐一形成N十緩沖區(qū)、MOS構造。

NPT-igbt模塊芯片的制造從基區(qū)（N-漂移區(qū)）開始，先往N型單晶硅的正面形成MOs構造，之后用研磨減薄工藝從反面減薄到igbt模塊電壓規(guī)格要L的厚度，再從反面用離子注入工藝形成集電區(qū)。

PT-igbt模塊與NPT-igbt模塊介紹

igbt模塊的構造各式各樣，但從縱向構造來說可歸為穿通型，非穿通型。這2種igbt模塊的區(qū)分依據為：臨界擊穿電壓下Pbase-Ndrift結耗盡層的擴展能否穿透了N-基區(qū)。

PT（punchthrough）：最“古老”的igbt模塊工藝，在1980~1990年間占領主導作用，第1代igbt模塊便是使用的PT工藝。

NPT（non-punchthrough）：NPT-igbt模塊由德國西門子公司于1987年推行，為上世紀90年代的主流產品。第2代igbt模塊使用NPT工藝。

以上就是傳承電子對PT-IGBT與NPT-IGBT的差異介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。