可控硅投切電容器的基本原理是什么

2021-12-14

可控硅投切電容器（TSC）是借助可控硅用作無觸點開關的無功補償設備，它按照可控硅具備精確的環節，快速并平穩的切割電容器，與機械投切電容器對比，可控硅具備使用期限長，開、關無觸點，抗機械應力作用強和動態開關特性優異等優勢。 可控硅的投切時刻可以精確控制，能快速的將電容器連接電網，有力的降低了投切時的沖擊電流的優勢。可控硅投切電容器（TSC）按電壓等級區劃為：低壓補償形式和高壓補償形式。低壓補償形式適用1kV及之下電壓的補償，高壓補償形式（即補償系統直接連接電網采用高壓補償）則對6～35kV電壓采用補償。可控硅投切電容器（TSC）是借助可控硅用作無觸點開關的無功補償設備，它按照可控硅具備精確的環節，快速并平穩...

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igbt模塊散熱器介紹

2021-12-13

igbt模塊的散熱器應按照使用條件、運行環境及igbt模塊主要參數做好匹配選擇，以確保符合igbt模塊運行時對散熱器的需求。散熱器表層的光潔度應少于10μm，每一個螺絲間的平面扭曲少于10μm。為了能減小接觸熱阻，建議在散熱器與igbt模塊間涂上一層很薄的導熱硅脂。針對igbt模塊底板為銅板的模塊，在散熱器與igbt模塊勻稱受力后，以從igbt模塊邊沿可看到有些許導熱硅脂擠出為最佳。針對igbt模塊底板為DBC墓板的模塊，散熱器表層務必平整、光潔，選用絲網印刷或圓輥滾動的方式涂敷一薄層導熱硅脂后，使二者勻稱壓接。 在為igbt模塊組裝散熱器時，每一個螺釘需按說明書中提供的力矩擰緊。力矩不足...

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用半導體收音機辨別單向可控硅模塊

2021-12-10

借助半導體收音機來辨別單向可控硅模塊的方式，既簡便直觀，又特別實用。但要首先了解單向可控硅模塊的內部結構。它是P-N-P-N四層三端半導體元器件，內部結構見圖1-41(a),當中A為陽極、K為陰極、G為觸發極。辨別方式見圖1-41（b）。 圖1-41用半導體收音機辨別單向可控硅模塊把單向可控硅模塊隨意2個電極串人電池Gl的正極與控制開關S間．比如像圖1-41(b)那般，將單向可控硅模塊的G極接電池的正極．將K極串人半導體收音機電源電路。合上控制開關S,則收音機播放也聲音。這是為什么呢？請見圖1-41(a)，原先G-K極間是一個正方向P-N結，等同于在半導體收音機線路中串進了1只正方向二極管，因些收音機...

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IGBT控制模塊線路

2021-12-09

IGBT單管和IGBT模塊控制線路IGBT單管和IGBT模塊的控制線路是相同的，它們的功用和運行原理基本相同，IGBT模塊可以當做是數個IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝工藝擴展了IGBT的使用領域和功用。IGBT是集功率晶體管GTR和功率場管MOSFET的優勢于一體，具備易驅動、峰值電流容量大、自斷開、開關頻率高的特性，近年來被普遍使用于高電壓、大功率的場所，下列是某種選用1個同意的24V電源供電，借助更改調節電阻的值來調節門級-集電極電容的值，以實現控制開關典雅上升率和下降率的目標的IGBTdv/dt控制線路，適用IGBT單管和IGBT模塊。 使用中IGBT單管和...

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智能可控硅ITPM在電氣控制系統中的運用

2021-12-08

ITPM的運用范圍較為詳細的ITPM通常由電力可控硅，移相觸發器，軟件操控的單片機，電流、工作電壓、溫度傳感器及其操作鍵盤，LED或LCD顯示等部份構成。如下圖1所顯示?？梢钥吹贸?，去除受電力可控硅容量的限制外，如此的ITPM已并不是通常傳統可控硅設備能夠比擬的。它有十分高的智能水平和適應性。所以，它在配電系統內的電氣控制系統中快速獲得推廣使用。在直流電機調速層面，單一ITPM可構成一不可逆雙閉環直流調速器，2個ITPM可以構成一可逆四象限運作的調速器。如下圖2所顯示。ITPM用在低同步交流串級調速中如下圖3所顯示。用6個ITPM十分便捷地構成的交?交變頻系統如下圖4所顯示。在電源和操控層面更...

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