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可控硅投切電容器的基本原理是什么
2021-12-14
可控硅投切電容器(TSC)是借助可控硅用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的無(wú)功補(bǔ)償設(shè)備,它按照可控硅具備精確的環(huán)節(jié),快速并平穩(wěn)的切割電容器,與機(jī)械投切電容器對(duì)比,可控硅具備使用期限長(zhǎng),開(kāi)、關(guān)無(wú)觸點(diǎn),抗機(jī)械應(yīng)力作用強(qiáng)和動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性優(yōu)異等優(yōu)勢(shì)。

可控硅投切電容器(TSC)是借助可控硅用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的無(wú)功補(bǔ)償設(shè)備,它按照可控硅具備精確的環(huán)節(jié),快速并平穩(wěn)的切割電容器,與機(jī)械投切電容器對(duì)比,可控硅具備使用期限長(zhǎng),開(kāi)、關(guān)無(wú)觸點(diǎn),抗機(jī)械應(yīng)力作用強(qiáng)和動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性優(yōu)異等優(yōu)勢(shì)??煽毓璧耐肚袝r(shí)刻可以精確控制,能快速的將電容器連接電網(wǎng),有力的降低了投切時(shí)的沖擊電流的優(yōu)勢(shì)。
可控硅投切電容器(TSC)按電壓等級(jí)區(qū)劃為:低壓補(bǔ)償形式和高壓補(bǔ)償形式。低壓補(bǔ)償形式適用1kV及之下電壓的補(bǔ)償,高壓補(bǔ)償形式(即補(bǔ)償系統(tǒng)直接連接電網(wǎng)采用高壓補(bǔ)償)則對(duì)6~35kV電壓采用補(bǔ)償。
可控硅投切電容器(TSC)按使用范圍區(qū)劃為:負(fù)荷補(bǔ)償形式和集中補(bǔ)償形式。負(fù)補(bǔ)償形式是直接對(duì)某一負(fù)荷采用針對(duì)性動(dòng)態(tài)補(bǔ)償以克服對(duì)電網(wǎng)的無(wú)功沖擊,集中補(bǔ)償形式是對(duì)電網(wǎng)供電采用系統(tǒng)的補(bǔ)償,以克服整個(gè)電網(wǎng)無(wú)功功率波動(dòng)的問(wèn)題。
以上就是傳承電子介紹的可控硅投切電容器的基本原理是什么,傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商,為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工,同時(shí)還給眾多公司提供來(lái)料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。
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