可控硅模塊的基本參數(shù)介紹

2021-03-29

dICOM/dt(轉(zhuǎn)換電流量變化率)，導(dǎo)致高dICOM/dt值的原因是:高負(fù)載電流量、高電網(wǎng)頻率（比如正弦波電流量）或者非正弦波負(fù)載電流量,這兩者導(dǎo)致的轉(zhuǎn)換電流量變化率超過最大的規(guī)定值，使雙向可控硅甚至于不能支撐50Hz波形由零上升時(shí)很小的dV/dt，添加一幾mH的電感和負(fù)載串連，可以限制dICOM/dt。 Hi-Com雙向可控硅模塊可以徹底解決高dv/dt及di/dt造成的問題，它和傳統(tǒng)的雙向可控硅模塊的內(nèi)部構(gòu)造有區(qū)別。區(qū)別其一是內(nèi)部的2個(gè)“閘流管”分隔得更佳，減輕了互相的影響。這帶來以下益處：①高dVCOM/dt。能操控電抗性負(fù)載，在眾多場(chǎng)所下無需緩沖線路，保障無故障轉(zhuǎn)換。這減輕了元器件數(shù)量、底...

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igbt模塊直流穩(wěn)壓大功率電源電路設(shè)計(jì)

2021-03-29

直流大功率電源是現(xiàn)階段工業(yè)生產(chǎn)、照明等行業(yè)中必不可少的基本要素，也是許多技術(shù)工程師的重點(diǎn)制定方向。這篇文章內(nèi)容介紹了一種igbt模塊直流穩(wěn)壓大功率電源方案設(shè)計(jì)。在本設(shè)計(jì)方案中，單片機(jī)調(diào)控的逆變電源的整體框架圖如圖所顯示， 單片機(jī)調(diào)控的逆變電源的整體框架圖單片機(jī)控制線路這種大功率開關(guān)電源電路倘若要保持直流穩(wěn)壓的運(yùn)作效果，則其單片機(jī)系統(tǒng)控制線路要用作輸出其所需的電壓、電流量，以保持從一開始所需求的開關(guān)電源的電流量和電壓的穩(wěn)定度，其工作關(guān)鍵借助程序運(yùn)行來輸出恰當(dāng)?shù)牟倏匦盘?hào)。在開關(guān)電源的硬件設(shè)備系統(tǒng)中，單片機(jī)關(guān)鍵利用采樣線路中的電壓、電流量，與給定值對(duì)比后可自動(dòng)調(diào)節(jié)，并且還可顯現(xiàn)線路中的電...

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igbt輸出整流和濾波電路

2021-03-29

我們所制定的這類大功率電源設(shè)計(jì)方案中，全橋式逆變電路的輸出線路如圖2所顯示，這是因?yàn)槎O管D7、D8都給輸出端供應(yīng)半周期的電流量，因此兩者分?jǐn)傊嗟鹊呢?fù)荷電流量，它們不用續(xù)流二極管，這是因?yàn)楫?dāng)1個(gè)二極管截止時(shí)，另1個(gè)二極管就導(dǎo)通起著了續(xù)流的功能。但對(duì)二極管的反向截止電壓參數(shù)的需求就高了，它的最小值可估算為：2.4VoVimax/Vimin。 圖全橋式逆變器輸出線路在這個(gè)一全橋式逆變器的輸出電路系統(tǒng)中，其整流二極管務(wù)必具備正向降低、快速恢復(fù)的特性，還應(yīng)當(dāng)具備充分的輸出功率。在具體運(yùn)用中，整流二極管就算在大的止向電流量影響下，其正向壓降也很低，僅有0.4V的樣子。畢竟它具備這種優(yōu)勢(shì)，可使整流二...

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igbt電源的主線路及驅(qū)動(dòng)線路設(shè)計(jì)

2021-03-29

大功率開關(guān)電源的主線路，通常當(dāng)做實(shí)現(xiàn)輸入功率到輸出功率的能量轉(zhuǎn)換。這類電源體系從遵循一般逆變的AC—DC—AC類型。在這一電源體系中，三相工頻交流網(wǎng)絡(luò)電壓通過整流模塊整流和濾波，受到大概540V的直流電壓。該直流電壓加到由功率開關(guān)管igbt模塊和中頻變壓器構(gòu)成的逆變器上。由4個(gè)功率開關(guān)管構(gòu)成橋的四臂，中頻變壓器聯(lián)接在兩者中問，相應(yīng)橋臂上的兩組功率開關(guān)管由柵極驅(qū)動(dòng)線路以脈沖形式激勵(lì)而交替地通斷，將直流電壓轉(zhuǎn)換成20kHz的中頻交變電壓，中頻變壓器同一時(shí)間將大概540V的電壓降為24V左右的工作電壓，隨后經(jīng)整流、濾波后，輸出直流電壓。在這一大功率電源的全橋線路中，我們假定變壓器的工作電壓為U，輸...

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可控硅模塊dVCOM/dt的承受能力取決于哪些因素？

2021-03-29

高dVCOM/dt承受能力受2個(gè)因素影響：dICOM/dt—轉(zhuǎn)換時(shí)負(fù)載電流量下降率。dICOM/dt高，則dVCOM/dt承受能力降低。結(jié)面溫度Tj越高，dVCOM/dt承受能力越降低。倘若雙向可控硅的dVCOM/dt的規(guī)定值有可能被超出，為防止出現(xiàn)假觸發(fā)，可在T1和T2間安裝RC緩沖線路，借此限定電壓上升率。通常使用47~100Ω的能承擔(dān)浪涌電流的碳膜電阻，0.01μF~0.47μF的電容，可控硅關(guān)斷環(huán)節(jié)中主電流量過零反向后快速由反向峰值恢復(fù)至零電流量，此環(huán)節(jié)可在元件兩邊形成達(dá)正常工作峰值電壓5-6倍的尖峰電壓。通常推薦在盡可能接近元件本身的地方連上阻容吸收電路。斷開模式下電壓變化...

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