可控硅模塊的基本參數介紹

2021-03-29

dICOM/dt(轉換電流量變化率)，導致高dICOM/dt值的原因是:高負載電流量、高電網頻率（比如正弦波電流量）或者非正弦波負載電流量,這兩者導致的轉換電流量變化率超過最大的規定值，使雙向可控硅甚至于不能支撐50Hz波形由零上升時很小的dV/dt，添加一幾mH的電感和負載串連，可以限制dICOM/dt。
Hi-Com雙向可控硅模塊可以徹底解決高dv/dt及di/dt造成的問題，它和傳統的雙向可控硅模塊的內部構造有區別。區別其一是內部的2個“閘流管”分隔得更佳，減輕了互相的影響。這帶來以下益處：

①高dVCOM/dt。

能操控電抗性負載，在眾多場所下無需緩沖線路，保障無故障轉換。這減輕了元器件數量、底板大小和成本費，還免去了緩沖線路的功率耗散。

②高dICOM/dt。

轉換高頻電流或非正弦波電流的特性大大改進，而無需在負載上串連電感器，以限制dICOM/dt。

③高dvD/dt（斷開模式下電壓變化率）。

雙向可控硅模塊在高溫下更加靈敏。高溫下，處在終止模式時，很容易因高dV/dt下的假觸發而導通。Hi-Com雙向可控硅模塊減少了這類傾向。進而可以用在高溫電器，操控電阻性負載，比如廚房和取暖電器，而傳統的雙向可控硅模塊則不能用。

在可控硅模塊設計中，采用適合的基本參數及其與之相對應的軟硬件設計，用可控硅模塊組成的變流設備有著節約能源、成本低廉等優點，現如今在工業生產中獲得快速的發展壯大。

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