igbt模塊的過壓保護線路

2021-03-29

igbt模塊在由導通情況關斷時，電流Ic忽然變小，鑒于線路中的雜散電感與負載電感的作用，將在igbt模塊的c、e兩邊形成很高的浪涌尖峰電壓uce=Ldic/dt，加上igbt模塊的耐過壓能力較弱，如此便會使igbt模塊擊穿，所以，其過壓保護也是極為關鍵的。過壓保護能從下列幾個層面實現：(1)盡量減少線路中的雜散電感。做為模塊設計制作者而言，要提升模塊內部構造(如選擇分層線路、縮減有效線路面積等)，縮減寄生電感，做為使用者而言，要提升主線路構造(選擇分層布線、盡可能減少連接線等)，縮減雜散電感。此外，在整體線路上多加一點低阻低感的退耦電容，進一步縮減線路電感。所有這些，針對直接縮減igbt模塊的關斷過電壓均有不錯的效果。 ...

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igbt模塊的過流保護線路設計

2021-03-29

過流保護用PTC熱敏電阻利用其電阻值突變限制全部線路中的損耗來降低殘留電流值。可替代傳統式的保險絲，普遍用在馬達、變壓器、開關電源、電子線路等的過流過熱保護，傳統式的保險絲在線路熔斷后難以自動恢復，而過流保護用PTC熱敏電阻在故障移除后就能恢復到預保護狀態，當再次發生故障時又可以完成其過流過熱保護作用。對igbt模塊的過流檢測保護分2種情況：主線路和控制回路中間，用于對控制回路的信號進行放大的中間線路(即放大控制回路的信號使其可以驅動功率晶體管)，稱作驅動電路。安規問題，驅動電路副邊與主線路有耦合關系，而驅動原邊是與控制回路連在一起，主線路是一次線路，控制電流量是ELV線路，一次線路和ELV線路時間要做基本絕緣，實現...

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igbt模塊保護線路設計中的必備難題

2021-03-29

igbt模塊又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)構成的復合全控型電壓驅動式功率半導體元器件，具備MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩層面的特點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。igbt模塊綜合了上述2種元件的特點，驅動功率小而飽和壓降低。特別適合用于直流電壓為600V及上述的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明線路、牽引傳動等領域。IGBT模塊因為具備多種優良的特性，使它取得了飛速的發展和普及，已應用到電氣行業的各方各面。所以熟悉IGBT模塊特性，掌握選取及使用時的注意事項對具體中的使用是極為重要的...

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雙向可控硅組裝有哪些方式

2021-03-29

對負載小，或電流持續時間短（低于1秒鐘）的雙向可控硅模塊，可在自由空間運行。但大多數情況下，需要組裝在散熱器或散熱的支架上，想要降低熱阻，可控硅模塊與散熱器間要涂上導熱硅脂。雙向可控硅模塊固定到散熱器的主要方式有3種，夾子壓接、螺栓固定和鉚接。前2種方式的組裝工具極易獲得。許多場合下，鉚接方式本文不做介紹。 1、夾子壓接這是推薦的方式，熱阻最小。夾子對元器件的塑封施加壓力。這也適合于非絕緣封裝和絕緣封裝。2、螺栓固定SOT78組件含帶M3成套組裝零件，包含矩形墊圈，墊圈置于螺栓頭和接頭片中間。應當不對器件的塑料體產生任何力。①、組裝環節中，螺絲刀絕不能對元器件塑料體產生任何力...

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可控硅模塊的門極參數介紹

2021-03-29

①、門極觸發電流：為了使可控硅模塊穩定觸發，觸發電流Igt選用25度時max值的α倍，α為門極觸發電流—結溫特性系數，取特性曲線中最低操作溫度時的系數。若對元器件工作環境溫度無特別需求，一般α取大于1.5倍就行。②、門極壓降：可以選用Vgt25度時max值的β倍。β為門極觸發電壓—結溫特性系數，查數據信息手冊可知，取特性曲線中最低操作溫度時的系數。若對元器件工作環境溫度無特別需求，一般β取1~1.2倍就行。觸發電阻Rg=（Vcc-Vgt）/Igt③、觸發脈沖寬度：為了更好地導通閘流管（或雙向可控硅模塊），除了要門極電流≧IGT，還需使負載電流達到≧IL（擎住電流），并按也許遇上的最低...

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