中壓igbt模塊變頻器用電力電子器件的比較

2021-04-02

20世紀80年代可關斷晶閘管模塊GTO的商品化推動了交流調速技術的發展，與SCR對比其屬于自關斷元件，因為取消了強迫換流線路，優化了在交流電力機車中大量選用的逆變器線路，近年來GTO的容量為6000A/6000V，在電力機車調速中大多選用（3000～4000）A/4500V，中壓變頻器功率范圍多在（300～3500）kW以內，屬于較小的功率范圍。GTO開關頻率較低，需要結構復雜的緩沖線路和門極觸發線路，用門極負電流脈沖關斷GTO，其值接近其陽極電流量的1/3，如關斷3000A/4000V的GTO，需750A的門極負脈沖電流，其門極觸發線路要數個MOSFET并接的低電感線路，而相同的高壓igbt模塊僅需5A的導通和斷開電流。G...

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可控硅模塊的工作原理

2021-04-02

可控硅模塊是PNPN四層三端元器件，共有3個PN結。解析原理時，可以把它當作是由1個PNP管和1個NPN管所組成，其等效電路圖解如圖1（a）所示，圖1（b）為可控硅模塊的電路符號。 圖1可控硅模塊等效電路圖解圖可控硅模塊的工作原理可控硅模塊是四層三端元器件，它有J1、J2、J33個PN結，可以把它中間的NP劃分兩部分，組成1個PNP型三極管和1個NPN型三極管的復合管。（1）當可控硅模塊承擔正向陽極工作電壓時，為使可控硅模塊導通，必須使承擔反向工作電壓的PN結J2失去阻擋作用。每一個晶體管的集電極電流同時便是另1個晶體管的基極電流。所以是2個互相復合的晶體管線路，當有足夠的門極電流Ig流入時，...

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晶閘管模塊的基本參數

2021-04-01

1、晶閘管模塊（SCR）晶體閘流管通稱晶閘管模塊，也叫做可控硅整流元器件（SCR），是由3個PN結組成的1種大功率半導體元器件。在特性上，晶閘管模塊不但具備單向導電性，并且還具備比硅整流元器件更加可貴的可控性，它僅有導通和斷開2種模式。晶閘管模塊的優勢很多，比如：以小功率把控大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應超快，在微秒級內導通、斷開；無觸點運作，無火花、無噪音；工作效率高，成本費用低等。因此，尤其是在大功率UPS供配電系統中，晶閘管模塊在整流電路、靜態旁路開關、無觸點輸出開關等線路中受到廣泛的使用。晶閘管模塊的缺點：靜態及動態的過載保護能力較弱，易受干擾而誤導通。晶閘管模塊從外型上種類主要有：螺...

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IGBT生產廠家介紹如何避免瞬時逆變器導通

2021-04-01

除開系統故障造成的短路，瞬時逆變器導通一樣會產生在正常運行情況下。此時，igbt模塊導通需求igbt模塊驅動至飽和區域，在該區域中導通耗損最低。這往往代表著導通狀態時的柵極-發射極工作電壓超過12V。igbt模塊斷開需求igbt模塊驅動至運行截止區域，便于在高端igbt模塊導通時成功阻隔兩邊的反向高電壓。原則上講，能夠通過使igbt模塊柵極-發射極工作電壓下降至0V實現該目標。然而，必須考慮到逆變器臂上低端晶體管導通時的副作用。導通時開關節點工作電壓的快速變動造成容性感應電流流過低端igbt模塊寄生密勒柵極-集電極電容（圖3中的CGC）。該電流量流過低端柵極驅動器（圖3中的ZDRIVER）斷開阻抗，在低端...

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IGBT功率模塊廠家：過流或短路處理方法

2021-03-31

去飽和檢測利用igbt模塊自身作為電流檢測元器件。工作原理中的二極管保障igbt模塊集電極-發射極電壓在導通的時候僅面臨檢測電路的監控；正常的運行時，集電極-發射極電壓比較低（典型值為1V至4V）。但是，倘若出現短路事件，igbt模塊集電極電流上升到驅動igbt模塊退出飽和狀態區并進到線性工作區的電平。這造成集電極-發射極電壓快速升高。上述正常電壓電平可以用來表示存有短路，而去飽和狀態跳變閾值電平一般在7V至9V區域內。重要的是，去飽和狀態還可表示柵極-發射極電壓過低，且igbt模塊未完全驅動至飽和狀態區。進行去飽和狀態檢測部署時需仔細，以防誤觸發。這尤其將會出現在igbt模塊尚未完...

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