過(guò)零檢測(cè)對(duì)可控硅調(diào)光的意義你知道嗎？

2021-04-15

過(guò)零檢測(cè)在開(kāi)關(guān)電源線路中通常是被用作完成線路或 頻率檢測(cè)用。而在可控硅調(diào)光線路中，過(guò)零檢測(cè)的功能相同關(guān)鍵。因此在可控硅調(diào)光中過(guò)零檢測(cè)的效果是什么?是不是能夠借助PWM來(lái)完成控制從借助轉(zhuǎn)變高低電平來(lái)對(duì)可控硅模塊通斷完成控制呢?要想弄清過(guò)零檢測(cè)在可控硅調(diào)光中的功能效果，第一步就要了解過(guò)零檢測(cè)。過(guò)零檢測(cè)通常出現(xiàn)在工頻電源中，如平常生活中的開(kāi)關(guān)燈，全是在不經(jīng)意間斷開(kāi)或連接市電，看上去簡(jiǎn)單，但只要仔細(xì)考慮，便會(huì)發(fā)現(xiàn)當(dāng)電源電壓恰好抵達(dá)最大值時(shí)線路被斷開(kāi)或被連接，對(duì)負(fù)載的沖擊非常大，大功率負(fù)載更嚴(yán)重。因此對(duì)感性負(fù)載或容性負(fù)載來(lái)說(shuō) ，其情況的嚴(yán)重程度顯而易見(jiàn)，同樣的其對(duì)電源的沖擊干擾是相同的。因此開(kāi)、關(guān)運(yùn)作在電源電壓值降為0...

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高壓igbt模塊中壓變頻器的特性

2021-04-14

semipower系列產(chǎn)品中壓變頻器選用了實(shí)戰(zhàn)有著出色性能的矢量轉(zhuǎn)換磁場(chǎng)定向控制原理，即優(yōu)化的空間矢量和脈寬調(diào)制方式，使用高壓igbt模塊和三電平技術(shù)而取得了優(yōu)異的輸出電壓特性。在設(shè)計(jì)上綜合考慮了各樣負(fù)載狀況，能適用風(fēng)機(jī)、泵類，擠壓機(jī)，提升機(jī)，皮帶機(jī)，活塞式壓縮機(jī)，卷取機(jī)，開(kāi)卷機(jī)等各種運(yùn)用。使用模塊化技術(shù)優(yōu)化傳動(dòng)裝置，可選用12或24脈波二極管整流器，或輸入端選用有源前端都能夠取得高動(dòng)態(tài)性能、高可靠性和最合適的性能價(jià)格比。現(xiàn)階段1500kVA之下電壓源型變頻器大部分選用二電平線路構(gòu)造，將中間直流電路的正極電位或負(fù)極電位接到電機(jī)上。為達(dá)到變頻器容量和輸出電壓等級(jí)的需求，并降低諧波及dv/dt，出現(xiàn)用于GTO或高...

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可控硅模塊(晶閘管)原理解析

2021-04-06

可控硅模塊T在工作環(huán)節(jié)中，它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載聯(lián)接，組成可控硅模塊的主線路，可控硅模塊的門(mén)極G和陰極K與控制可控硅模塊的裝置聯(lián)接，組成可控硅模塊的控制電路。從可控硅模塊的內(nèi)部解析工作環(huán)節(jié)：可控硅模塊是四層三端器件，它有J1、J2、J33個(gè)PN結(jié)圖1，能夠把它中間的NP分為兩部分，組成1個(gè)PNP型三極管和1個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管圖2當(dāng)可控硅模塊承擔(dān)正向陽(yáng)極電壓時(shí)，為使可控硅模塊導(dǎo)銅，需要使其承擔(dān)反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋功能。圖2中每一個(gè)晶體管的集電極電流量同時(shí)也是另1個(gè)晶體管的基極電流量。所以，2個(gè)互相復(fù)合的晶體管線路，當(dāng)有充足的門(mén)機(jī)電流量Ig流入時(shí)，便會(huì)產(chǎn)生很強(qiáng)的正反饋，導(dǎo)致兩晶體管飽和導(dǎo)通，...

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高壓igbt模塊變頻器介紹

2021-04-06

電力電子技術(shù)、微電子技術(shù)與控制理論的相結(jié)合，有效地推動(dòng)了交流變頻調(diào)速技術(shù)的發(fā)展。近幾年來(lái)，具備驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)作用的智能igbt模塊的應(yīng)用領(lǐng)域使得變頻器構(gòu)造更為緊湊且可靠。與其它電力電子元件對(duì)比，igbt模塊具備可靠性高、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、保護(hù)容易、無(wú)需緩沖線路和開(kāi)關(guān)頻率高等優(yōu)勢(shì)。鑒于此，開(kāi)發(fā)高電壓、大電流量、頻率高的高壓igbt模塊并將其應(yīng)用領(lǐng)域到變頻調(diào)速器中以取得輸出電壓等級(jí)更高的設(shè)備變成人們關(guān)注的重點(diǎn)。中壓變頻器的開(kāi)發(fā)與電力電子元件如高壓igbt模塊、GTO、IGCT等元件研制水準(zhǔn)和使用水準(zhǔn)息息相關(guān)，伴隨著高電壓、大電流量igbt模塊的推出，給中壓變頻器注入了新的活力。電力電子元件的發(fā)展經(jīng)歷了晶閘管模塊(SCR)...

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晶閘管模塊的伏安特點(diǎn)

2021-04-06

晶閘管模塊陽(yáng)極A與陰極K之間的電壓與晶閘管模塊陽(yáng)極電流量之間關(guān)系稱為晶閘管模塊伏安特點(diǎn)，如圖2所所示。正向特點(diǎn)位于第一象限，反向特點(diǎn)位于第三象限。圖2晶閘管模塊伏安特點(diǎn)參數(shù)示意圖 （1）反向特點(diǎn)當(dāng)門(mén)極G開(kāi)路，陽(yáng)極加反向電壓時(shí)（見(jiàn)圖3），J2結(jié)正偏，但J1、J2結(jié)反偏。這時(shí)只有流過(guò)很小的反向飽和電流，當(dāng)電壓進(jìn)一步提升到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后，并且J3結(jié)也擊穿，電流量快速提升，如圖2的特點(diǎn)曲線OR段開(kāi)始彎曲，彎曲處的電壓URO稱為“反向轉(zhuǎn)折電壓”。之后，晶閘管模塊會(huì)造成永久性反向擊穿。 （2）正向特性當(dāng)門(mén)極G開(kāi)路，陽(yáng)極A添加正向工作電壓時(shí)（見(jiàn)圖4），J1、J3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏，這與...

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